Si・SiC･GaNパワーデバイス技術ロードマップとアプリケーション展望

学べる内容

過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
パワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

講師

岩室　憲幸　氏 筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士（工学） 

セミナープログラム

1. パワーエレクトロニクスとは？
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 高周波動作のメリットは
　1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か

2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
　2-1 パワー半導体デバイスの世界市場
　2-2 IGBT開発のポイント
　2-2 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ？
　2-3 IGBT特性向上への挑戦
　2-4 薄ウェハ　フィールドストップ（FS）型IGBTの誕生
　2-5 IGBT特性改善を支える技術
　2-6 薄ウェハ化の限界
　2-7 最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT
　2-8 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

3. パワー半導体の信頼性
　3-1　初期故障モードと対策
　3-2　信頼性設計とシミュレーションの活用
　3-3　故障モードと評価方法

4. SiCパワーデバイスの現状と課題
　4-1 半導体デバイス材料の変遷
　4-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　4-3 SiCのSiに対する利点
　4-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか？
　4-5　SiCパワーデバイス実用化の4つの課題
　4-6 SiCウェハができるまで
　4-7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　4-8 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
　4-9 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか？
　4-10 他の用途への展開の可能性について
　4-11 SiCのデバイスプロセス
　4-12 SiCデバイス信頼性のポイント
　4-13 最新SiCトレンチMOSFET

5. GaNパワーデバイスの現状と課題
　5-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　5-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　5-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
　5-4 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　5-5 GaN-HEMTの課題とMIS化
　5-6 Current Collapse現象メカニズム
　5-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　5-8 縦型GaNデバイスのへの挑戦

6. 高温対応実装技術
　6-1 高温動作ができると何がいいのか
　6-2 パワーデバイス動作中の素子破壊事例
　6-3 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　6-4 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

7. まとめ

　　　　【質疑応答・名刺交換】

受講料

49,800円　(Eメール案内登録価格：1名47,300円，2名49,800円，3名74,700円）7
※資料付(ご希望の方は、申込みフォームの備考欄に「Ｅメール案内希望」と記入してください。ご記入いただくと、今回から割引受講料で受付が可能です)
※Eメール案内登録(無料)される方は、通常1名様49,800円から
　★1名で申込の場合、47,300円
　★2名同時申込の場合は、2名様で49,800円(2人目無料)
　★3名同時申込の場合は、3名様で74,700円
※2名、3名様ご参加は2名、3名様分の参加申込が必要です。
　ご連絡なく2名、3名様のご参加はできません。