次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥の特定、評価技術とその動向、課題
～ワイドギャップ半導体の結晶評価の各手法の原理と適用事例、範囲と課題～
受講可能な形式：【ライブ配信】のみ
デバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因である格子欠陥の分布や種類を正確にとらえ、そして得た情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックするには
従来の半導体材料を凌駕する高電力密度、低損失、高温動作時の安定性などを持つ
4H-SiC、GaN、β-Ga₂O₃、AlN等のワイドギャップ化合物半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発を加速
動作中のデバイスの欠陥観察の最新の研究内容も解説
セミナー趣旨
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。
受講対象・レベル
ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者・技術者
習得できる知識
パワーデバイス用半導体結晶中の欠陥の評価技術を習得できる
セミナープログラム
1-1 パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
・カーボンニュートラルの産業イメージ
・パワーデバイスとは何か
・次世代のパワーデバイス ― ワイドギャップ半導体
1-2 結晶中の欠陥
・格子欠陥による「信頼性」の懸念
・欠陥の種類
1-3 欠陥評価手法とその適用範囲
2．結晶評価手法
2-1 選択性化学エッチング（エッチピット法）
・SiCのエッチピット形成と分類
・GaNのエッチピット形成と分類
・AlNのエッチピット形成と分類
・Ga2O2のエッチピット形成と分類
2-2 透過型電子顕微鏡
・SiCの転位同定
・GaNの刃状転位、らせん転位、と混合転位
2-3 多光子励起顕微鏡
2-4 X線回折とX線トポグラフィー
・放射光X線トポグラフィー（XRT）とは何か
・XRTの原理
・反射配置XRT
・透過XRT
2-5 その他の手法
3．最新の研究内容 動作中のデバイスの欠陥観察
質疑応答
セミナー講師
2007年、筑波大学 数理物質科学研究科 物質材料工学専攻修了、博士号取得
2008～2009年、物質材料研究機構ポスドク
2009～2024年、ファインセラミックスセンター、上級研究員を経て主任研究員、機能性材料グループ長
2024年4月より三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター 教授、（兼）工学部 電気電子工学科 教授
専門
無機材料・物性、結晶工学
研究内容・キーワード
結晶欠陥評価,ワイドギャップ半導体,パワーデバイス,放射光X線トポグラフィー,X線・電子線回折,オペランド観,酸化ガリウム,III族窒化物,化合物半導体
活動
一貫して次世代のパワーデバイス用ワイドギャップ化合物半導体の結晶評価法の開発に従事。
応用物理学会、先進パワー半導体分科会に所属
セミナー受講料
55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
1名分無料適用条件
2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（クレジットカード決済の場合は領収書）は代表者にS&T会員マイページにて発行します（PDF）。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円)
| テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 |
1名申込みの場合：受講料44,000円( E-Mail案内登録価格 42,020円)
定価：本体40,000円＋税4,000円
E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みの際、備考欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】と記載ください。
※他の割引は併用できません。
受講について
ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
受講料
55,000円（税込）/人
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