GaNパワーデバイス開発技術における基礎知識と最新動向～GaNの特徴/国内外の開発状況/ウェハ・結晶評価/作製プロセスにおける課題など～

セミナー趣旨

  GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、生活になくてはならないものとして利用されています。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、この分野では現行のSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされています。本講演では特にパワーデバイスの分野においてGaNを用いたデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します

習得できる知識

・パワーデバイスができるまで　結晶～デバイス～モジュール
・パワーデバイスの現状
・GaNにおける日本の立ち位置
・パワーデバイスの今後の展望

セミナープログラム

１．はじめに
　  (1) パワーエレクトロニクスとは
　  (2) パワーデバイスについて
　  (3) パワー半導体とは
　  (4) パワーデバイス・モジュールができるまでの工程
２．GaNについて
　（1）GaNの物性　なぜGaNなのか
　（2）GaNの用途
　（3）パワー半導体としてのGaN
　（4）GaNパワーデバイスの狙い
３．GaN関係の動向、世界的な状況と日本の立ち位置
　（1）パワー半導体の動向
　（2）GaNのプレーヤー・各社の狙い（ウェハ）
　　・GaN基板
　　・GaN on Si
　　・GaN on SiC
　　・GaN on QST
　（3）GaNのプレーヤー・各社の狙い（デバイス）
　　・横型デバイス
　　・縦型デバイス
４．GaN結晶について
　（1）様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
　　・HVPE法
　　・Na-fllux法
　　・Ammonothermal法
　　・OVPE法
　（2）基板とデバイス層
　（3）GaNonGaNとヘテロエピGaN
　（4）GaN基板のラインナップ
　（5）GaN基板ができるまでの加工工程
　　・スライス
　　・レーザスライス
　　・研磨
　（6）ウェハ・結晶評価
　　・GaNの結晶欠陥、Si,SiCでの結晶欠陥
　　・欠陥の検出方法、転位の影響
５．GaNパワーデバイス作製プロセスについて
　（1）デバイスププロセスに必要なこと
　（2）デバイス層結晶成長方法
　（3）イオン注入と高温高圧アニール
　（4）拡散
　（5）ゲート絶縁膜
　（6）エッチング
６. GaNパワーデバイス
   （1）デバイス設計とシミュレーション
   （2）基本的なGaNパワーデバイスの特性
   （3）様々なGaNパワーデバイス
   （4）パワーデバイス評価
７．デバイス作製後のプロセス
８．まとめ

＊途中、小休憩を挟みます。

■講演中のキーワード
・GaN
・パワーデバイス
・ワイドバンドギャップ半導体
・結晶成長 

セミナー講師

 国立大学法人 東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任准教授　  田中 敦之 氏

■ご経歴
大学卒業後、企業及び国立研究所でSiCパワーデバイスの実用化に関する研究開発に従事。
その後フィールドを大学、GaNのパワーデバイス移し研究・教育を行っている。
■ご専門および得意な分野・ご研究
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発
■本テーマ関連学協会でのご活動
応用物理学会

セミナー受講料

【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 51,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき40,700円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
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