GaNウェハ・パワーデバイスの基礎と今後の展望【Webセミナー】

セミナー趣旨

GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。

セミナープログラム

1.　GaNについて
　・GaNの特徴と利用
　・パワーエレクトロニクス向きの半導体
　・GaNで目指す社会
　・GaNパワーデバイスができるまで

2.　GaN関係の動向　-GaNのプレーヤーと学会動向
　・パワー半導体基板の動向
　・パワー半導体の動向
　・GaNのプレーヤー
　・QST基板
　・学会の動向　発表内容別、国別

3.　GaNウェハ
　3-1　ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
　・GaNデバイスに用いられる基板
　・ヘテロエピのGaNデバイス層
　・QST基板
　・ホモエピのGaNデバイス層
　3-2　様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
　・HVPE法について
　・Na-flux法について
　・Ammonothermal法について
　・OVPE法について
　3-3　GaN基板のラインナップの現状
　3-4　GaN基板の加工
　・GaN基板のスライス
　・GaN基板のレーザスライス
　・GaN基板の研磨
　3-5　基板・結晶評価技術・結晶欠陥
　・転位とはGaNの場合
　・転位の影響Siの場合
　・転位の影響SiCの場合
　・転位の影響GaNの場合
　・転位の検出方法
　・多光子PL顕微鏡
　・複屈折顕微鏡

4.　GaNパワーデバイス作製プロセス
　4-1　GaN結晶と半導体プロセス
　・デバイスプロセスに必要なこと
　4-2　デバイス層結晶成長方法
　4-3　イオン注入について
　・高温高圧アニールついて
　・拡散について
　4-4　ゲート絶縁膜について
　4-5　ドライエッチングとウェットエッチング
　・GaNのエッチングについて
　・PECエッチングについて

5.　GaNパワーデバイス
　5-1　デバイス設計と設計パラメータ
　5-2　GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
　・ノーマリオフ化手法
　・HEMTの使用例
　・HEMTのプロセス例
　・HEMTについて
　・pn接合に与える転位の影響
　・製品化していた唯一の縦型トランジスタ
　5-3　GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
　・PSJトランジスタ

6.　今後の展望

セミナー講師

田中　敦之　氏
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授

セミナー受講料

46,200円　(Eメール案内希望価格：1名39,600円，2名46,200円，3名67,100円）
※資料付
※Eメール案内を希望されない方は、「46,200円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様46,200円から
　★1名で申込の場合、39,600円
　★2名同時申込の場合は、2名様で46,200円(2人目無料)
　★3名同時申込の場合は、3名様で67,100円
　★4名以上同時申込の場合は、ご参加者数×19,800円
※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
　ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。

備考

＜Webセミナーのご説明＞
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザでの参加も可能です。
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本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
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