ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法

セミナー趣旨

　ダイヤモンドは大きなバンドギャップ（5.45 eV）や、高い移動度（~2000 cm/V・s）、高絶縁破壊電圧（~6 MV/cm），高熱伝導度（~22 W/cm・K）等の優れた物理特性を有する事から，次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え，化学安定性にも優れている事から極限環境下（高温や放射線下等）で動作するパワーデバイスとしても期待されている。
　本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。

受講対象・レベル

・ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者
・ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。

習得できる知識

・ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発や研究の最前線について理解できる

セミナープログラム

1.     はじめに
　1-1　ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル
　1-2　ダイヤモンド半導体研究の歴史

2.    ダイヤモンド半導体結晶の作製技術
　2-1　ダイヤモンド単結晶成長技術（高温高圧合成法等）
　2-2　ダイヤモンド薄膜結晶成長（ホモエピ、ヘテロエピ成長）
　2-3　ダイヤモンド半導体のドーピング技術（in-situドープ、イオン注入等）
　2-4　ダイヤモンド終端面と伝導特性制御

3.    ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術
　3-1　ダイヤモンドショットキーダイオード
　3-2　ダイヤモンドPNダイオード
　3-3　ダイヤモンド電界効果トランジスタ（FET）
　3-4　その他のダイヤモンドデバイス（バイポーラトランジスタ等）

4.    まとめ
　4-1　ダイヤモンドパワーデバイスの課題
　4-2　今後の展望

キーワード：
ダイヤモンド半導体,パワーデバイス,結晶成長,パワーエレクトロニクス,講演,セミナー,研修

セミナー講師

早稲田大学大学院情報生産システム研究科　
教授　博士（理学）　植田 研二　氏

【略歴】
・2000年3月　大阪大学理学研究科（博士課程後期）化学専攻修了、博士（理学）
・2000年4月～2001年1月　大阪大学産業科学研究所　博士研究員
・2001年2月～2009年3月　NTT物性科学基礎研究所　研究員
・2009年4月～2022年3月　名古屋大学工学研究科　准教授
　（2011年3～8月　Neel Institute, CNRS, France, 客員研究員　兼務）
・2022年4月～　現職　
　　　早稲田大学大学院情報生産システム研究科　教授
　　　　（2022年6月～2023年3月　名古屋大学工学研究科　客員教授　兼務）

【学協会での役職等】
・日本応用物理学会東海支部幹事 , 2014年4月 ～2022年3月
・日本磁気学会 企画委員会委員, 2017年9月 ～2021年 3月
・日本応用物理学会APEX-JJAP編集委員：2010年4月 ～ 2016年3月
・日本真空学会 SP部会（スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会）幹事 、2010年4月 ～ 2014年3月
・日本真空学会東海支部幹事、2013年2月 ～ 2014年1月
・国際学会SSDM論文委員（エリア8）2011-2013 , 2011年4月 ～ 2014年3月

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ 会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
　★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
　お一人様につき、追加料金11,000円（税込）にてお申込みいただけます。
　メッセージ欄に「LIVEとアーカイブ両方視聴」と明記してください。


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受講について

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