半導体製造におけるドライ／ウェットエッチング技術の基礎・応用と最新動向【東京会場】

セミナー趣旨

半導体製造に必要不可欠なエッチング技術について、基礎から最新動向まで体系的に解説します。先端半導体の開発動向から、ドライエッチングおよびウェットエッチングの原理、材料別の応用、そして最先端の原子層エッチングまでを詳説。対象材料はシリコン系に加え化合物半導体も含み、微細化・三次元化への対応から光デバイスなどの多様な応用領域までを網羅します。

セミナープログラム

1. 先端半導体のトレンド／デバイス構造／製造プロセス
　　　1) ロジック／メモリーのトレンド
　　　2) デバイス構造
　　　3) 製造プロセス

2. 半導体製造プロセスにおけるエッチング
　　　1) エッチングの種類
　　　2) エッチングの課題

3. ドライエッチングの基礎とプロセス技術
　　　1) ドライエッチング装置の種類
　　　2) ドライエッチングプロセスの特徴
　　　3) ドライエッチングの原理
　　　4) ドライエッチング損傷
　　　5) 各種材料のドライエッチング
　　　　 Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN

4. ウェットエッチングの基礎とプロセス技術
　　　1) ウェットエッチングの原理
　　　2) ウェットエッチングの律速過程
　　　3) 各種材料のウェットエッチング
　　　　 Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN

5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
　　　1) 原子層プロセスのトレンド
　　　2) 原子層エッチング基礎と分類
　　　3) 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
　　　4) プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
　　　5) ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
　　　6) フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE

6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
　　　1) 光デバイスエッチングにおける凹凸発生

7. まとめと今後の課題

セミナー講師

篠田　和典　氏 (株)日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 プロセス東京技術センタ 主任技師 ＞講師略歴

セミナー受講料

55,000円　(Eメール案内登録価格：1名49,500円，2名55,000円，3名73,700円，4名以上ご参加者数×22,000円)　
※資料・昼食（お弁当）付
※Eメール案内を希望されない方は、「55,000円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様55,000円から
　★1名で申込の場合、49,500円
　★2名同時申込の場合は、2名様で55,000円(2人目無料)
　★3名同時申込の場合は、3名様で73,700円
　★4名以上同時申込の場合は、ご参加者数×22,000円
※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
　ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。
【配付資料】
・本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)の予定です。
・ ダウンロード方式またはe－mail添付 にて配布いたします。

【禁止事項】
セミナーで公開・使用される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。