酸化物半導体（IGZO）系材料の基礎・研究開発動向とトランジスタ製造プロセス・次世代メモリへの応用展開【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

　IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった特徴を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用の期待が高く、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では、酸化物半導体の基礎を解説し、最近の集積デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

セミナープログラム

【【本セミナーの主題および状況 　本講座の注目ポイント】】

■本セミナーの主題および状況 

★TSMCやサムスンなどの大手半導体企業が酸化物半導体を次世代DRAM材料とみて注目しており、そのなかでもIGZO系材料が有力候補となり、AIサーバー向けに高集積・低電力化を実現し、2030年代に3D化の実用化が期待されている。

★酸化物半導体（IGZO）は、低温プロセス適合性、高移動度、低リーク特性を有し、既にディスプレイ量産で確立された技術である。この酸化物半導体（IGZO系材料）技術を半導体、特にメモリに搭載する技術に注目がある。

■本講座の注目ポイント

★本講座では開発者に向け、材料物性から成膜・加工プロセス、デバイス構造に至る基礎を体系的に整理し、さらにモノリシック3D集積や三次元メモリといった次世代集積化応用の研究動向を詳述する。設計・プロセス開発の観点から酸化物半導体の実用化課題とポテンシャルを把握し、自社開発への適用や研究戦略立案に直結する知識を獲得できる講座である。

講座担当：青木良憲

【プログラム】

1．背景

　1-1　酸化物半導体のニーズ

　1-2　

2．酸化物半導体の基礎

　2-1　酸化物半導体の材料物性

　2-2　酸化物半導体のプロセス技術

　2-3 酸化物半導体のデバイス技術

3．三次元集積デバイス応用の研究開発動向

　3-1　集積デバイスの現状

　3-2　モノリシック三次元集積技術

　3-3　三次元構造メモリデバイス

4．まとめ

【質疑応答】

セミナー講師

東京大学　 生産技術研究所/教授　 小林　正治　氏

セミナー受講料

【1名の場合】45,100円(税込、テキスト費用を含む)

2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ございません。