酸化物半導体（IGZO）系材料の基礎・研究開発動向とトランジスタ製造プロセス・次世代メモリへの応用展開【LIVE配信・WEBセミナー】

WEBでオンラインLive講義にどこからでも参加できます。第一人者の東京大学　 生産技術研究所　教授　小林　正治　氏のご講演。酸化物半導体（IGZO）系材料の基礎・研究開発動向とトランジスタ製造プロセス・次世代メモリへの応用展開についてご講演いただきます。

★TSMC・サムスンなどの大手半導体企業も注目、酸化物半導体（IGZO）系材料による次世代DRAM革新。2030年代、3Dメモリ実用化への扉を開く！
★低温プロセス・高移動度・低リーク、ディスプレイで確立されたIGZOからの材料が、今やメモリ材料の本命になってきた
★酸化物半導体の基礎から3D集積応用まで、開発者が押さえるべき最新研究と実用化課題を徹底解説！

 

 

【項目】※クリックするとその項目に飛ぶことができます

    セミナー趣旨

    　IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった特徴を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用の期待が高く、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では、酸化物半導体の基礎を解説し、最近の集積デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

    セミナープログラム

    1．背景
    　1-1　酸化物半導体のニーズ
    　1-2　

    2．酸化物半導体の基礎
    　2-1　酸化物半導体の材料物性
    　2-2　酸化物半導体のプロセス技術
    　2-3 酸化物半導体のデバイス技術

    3．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
    　3-1　集積デバイスの現状
    　3-2　モノリシック三次元集積技術
    　3-3　三次元構造メモリデバイス

    4．まとめ

    【質疑応答】

     
     

     

     

    セミナー講師

    東京大学　 生産技術研究所/教授　 小林　正治　氏

    セミナー受講料

    【1名の場合】45,100円(税込、テキスト費用を含む)

    2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

    ※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ございません。


     

    受講料

    45,100円（税込）/人

    ※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

    開催日時


    13:00 ～

    受講料

    45,100円（税込）/人

    ※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

    ※銀行振込

    開催場所

    全国

    主催者

    キーワード

    半導体技術
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