MSAP工法におけるエッチング技術と微細回路形成

★次期スマホで話題のMSAP、その最新動向、可能性を探る

30μm L/S以下を目指したプロセス技術、関連部材の開発動向と課題を徹底解説

講師

１．日本オルボテック(株)　中嶋 証 氏

２．八戸工業高等専門学校 マテリアル・バイオ工学科
　　教授　博士(工学)　松本 克才 氏

３．(株)JCU 電子技術部　松山 哲大 氏

受講料

1名につき55，000円（消費税抜き・昼食・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき50，000円（税抜）〕

プログラム

＜１０：３０〜１２：１０＞
１．MSAP工法向けダイレクトイメージング技術
日本オルボテック(株)　中嶋 証 氏

【講座概要】
   次世代に求められる高周波、高速応答性の要望に基づき、高精度かつコスト競争力があるとされるＭＳＡＰ工法が採用されつつある。本稿では、胴体形成精度のカギを握る露光プロセス装置の技術、プロセスを述べる。またプリプロセスとしてのエッチングファクターも考えたＣＡＭの役割、およびポストプロセスとして、胴体形成の品質精度の確認を行う画像検査装置（ＡＯＩ）と導体欠陥の修正装置（ＡＯＳ）を加えて説明する。

１．ＭＳＡＰ用途の市場概観
２．回路形成プロセス概要とＭＳＡＰプロセスの課題
３．ＣＡＭの役割
４．回路形成用ダイレクト露光装置のご紹介
５．外観検査装置（ＡＯＩ）と欠陥修正装置（ＡＯＳ）のご紹介
６．まとめと次に向けての課題

 【質疑応答・個別質問・名刺交換】

＜１３：００〜１４：４０＞ 
２．エッチングの基礎とMSAPによる微細銅回路形成の可能性 
八戸工業高等専門学校　松本 克才 氏

【講座概要】
　溶解現象を論じる上で、速度を決定している過程を知り、制御することが重要であり、本講演ではそのことを踏まえ、固-液系溶解反応について、速度論的立場から説明を行う。

１．固-液系溶解反応の基礎
　1.1 溶解プロセスの考え方
　1.2 溶解速度の律速段階
　1.3 溶解速度の考え方

２．銅溶解工程を含む微細回路形成
　2.1 サブストラクティブ法
　2.2 セミアディティブ法
　2.3 MSAP法

３．各プロセス中のエッチングに対する速度論的研究例
　3.1 サブストラクティブ法
　3.2 セミアディティブ法
　3.3 MSAP法

４．今後の展望

【質疑応答・個別質問・名刺交換】

＜１４：５０〜１６：３０＞ 
３．MSAP用回路形成エッチングプロセス
(株)JCU 電子技術部　松山 哲大 氏

【講座概要】
　近年、電子機器に搭載されるプリント配線板は、小型・薄型・高密度化に向け、配線の更なるファインピッチ化が要求されている。それに伴い、非回路部をエッチング除去するサブトラクティブ法に対し、必要な箇所にのみ電解銅めっきにて配線を形成するSemi-Additive Process（SAP）がより微細な配線形成には有利である。その中でも近年はMSAPが注目されており、微細配線形成にはSAPに劣るものの、サブトラクティブ法よりもファインピッチ化が可能な事により、スマートフォンに搭載されるマザーボードへの展開が進められている。本講演では、MSAPの中でもエッチングプロセスに焦点を当て、基本的な技術から不良や解決策、弊社の新プロセスなどを交ぜて紹介する。

１．はじめに
　1.1 電子回路基板について
　1.2 MSAPの現状と対応

２．MSAPプロセスの概要
　2.1 シード層形成
　2.2 ドライフィルムラミネート前処理
　2.3 ドライフィルム露光・現像
　2.4 電解銅めっき
　2.5 ドライフィルム剥離

３．MSAP用回路形成におけるエッチングプロセス
　3.1 MSAP回路形成に要求されること
　3.2 回路形成に向けたエッチングプロセス

４．MSAP用回路形成エッチングにおける課題と対策
　4.1 不良および原因
　4.2 対策
　4.3 弊社提案新プロセス

５．MSAPに関わるその他のエッチングプロセス

６．まとめ

【質疑応答・個別質問・名刺交換】