酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

~ 酸化物半導体の材料・プロセス・デバイス特性(薄膜形成・トランジスタ形成技術) ~
~ 三次元集積化技術(3Dメモリデバイス、DRAM、NAND)への展開 ~ 
 受講可能な形式:【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ 

酸化物半導体は IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、
モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NAND など、
三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
 本セミナーでは、酸化物半導体の 材料物性・プロセス技術・デバイス特性 の基礎を整理しながら、
三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説します。 


日時

【Live配信受講】 2025年10月24日(金)  13:00~16:30
【アーカイブ受講】終了翌営業日から[10/27~11/4中]を予定
★アーカイブ配信のみの視聴も可能です

【項目】※クリックするとその項目に飛ぶことができます

    セミナー趣旨

     IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

    受講対象・レベル

    半導体の材料・プロセス・デバイスのいずれかに関する一般的な基礎知識を有していることが望ましい。

    セミナープログラム

    1.背景
     ・酸化物半導体のニーズ
      -なぜ酸化物半導体か?

    2.酸化物半導体の基礎
     ・酸化物半導体の材料物性
      -シリコンと何が違うか?                                      
     ・酸化物半導体のプロセス技術
      -薄膜形成技術、
      -トランジスタ形成技術
     ・酸化物半導体のデバイス技術
      -トランジスタの性能
      -トランジスタの信頼性

    3.三次元集積デバイス応用の研究開発動向 
     ・集積デバイスの現状
      -シリコンの限界
     ・モノリシック三次元集積技術
      -混載メモリ
     ・三次元構造メモリデバイス
      -三次元DRAM
      -三次元NAND 

    4.まとめ

     □質疑応答□

    セミナー講師

    東京大学 生産技術研究所 教授 Ph.D(電子工学) 小林 正治​ 先生

    <ご経歴>
    2010年 米国スタンフォード大学博士課程修了
    2010年-2014年 米国IBMワトソン研究所 プロパー研究員
    2014年-2019年 東京大学生産技術研究所 准教授
    2019年-2025年 東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
    2025年より 東京大学生産技術研究所 教授

    <ご専門>
    集積ナノエレクトロニクス

    【WebSite】https://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/

    セミナー受講料

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    ≪配布資料≫
    PDFテキスト(印刷可・編集不可)
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      なお、アーカイブ配信受講の場合は、配信日になります。


    (備考)※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
        ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。


     

    受講料

    49,500円(税込)/人

    ※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

    開催日時


    13:00

    受講料

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    ※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

    ※銀行振込

    開催場所

    全国

    主催者

    キーワード

    半導体技術

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