【中止】ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応の制御
半導体の生産で実際に使われている
ドライエッチングプロセス・装置が分かる！
極力数式を使わないでエッチングのメカニズムを学びます！
セミナー趣旨
本セミナーではドライエッチングのメカニズム、各種材料のエッチング、およびドライエッチング装置について分かりやすく解説します。セミナーでは、まずドライエッチングの基礎から始め、極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるよう解説します。各種材料のエッチングでは単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法について詳細に解説します。ここではプラズマからから被エッチ膜表面への入射種とエッチ速度、選択比、形状との相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説します。また、半導体製造に実際に使われている各種ドライエッチング装置に関し、プラズマ発生原理や特徴について解説するとともに、プロセスを制御する上で重要な役割を担っている静電チャックについても解説します。
本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、入門としても、またドライエッチングのプロを目指す方にも最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの全体像を理解し、また自分たちの技術がどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。
習得できる知識
・ドライエッチングのメカニズムから応用まで、難しい数式を使うことなく全容を理解することができる。
・ドライエッチングを支配するパラメータとその制御法が分かり、エッチングプロセスを組立てる上での指針を得ることができる。
・半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置について学ぶことができ、実践的な知識が身に付く。
セミナープログラム
1.1 ドライエッチングの概要
1.2 LSIの高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
２．ドライエッチングのメカニズム
2.1 プラズマの基礎
2.2 ドライエッチングの反応過程
2.3 異方性エッチングのメカニズム
2.4 エッチ速度
３．各種材料のエッチング
3.1 ゲートエッチング
3.1.1 選択比を支配するキーパラメータ
3.1.2 CDのウェハ面内均一性の制御
3.1.3 Poly-Si、WSi2/Poly-S、W/Poly-Siゲートエッチング
3.2 SiO2エッチング
3.2.1 SiO2エッチングのメカニズム
3.2.2 選択比を支配するキーパラメータ
3.2.3 形状制御
3.2.4 高アスペクト比ホールエッチング、SACエッチング
3.3 配線エッチング
3.3.1 Ａｌ配線エッチング
3.3.2 Ａｌ配線の防食処理技術
3.3.3 その他の配線材料のエッチング
４．ドライエッチング装置
4.1 CCPプラズマエッチャー
4.2 マグネトロンRIE
4.3 ECRプラズマエッチャー
4.4 ICPプラズマエッチャー
4.5 静電チャック
□質疑応答・名刺交換□
セミナー講師
ナノテクリサーチ 代表 野尻 一男 氏
元・ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー（2018.11まで）
【経歴】
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株) 入社、取締役・CTOに就任。2017年ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー。2019年独立。ナノテクリサーチ代表として技術及び経営のコンサルティングを行っている。
【受賞歴】
1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。
1994年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。
2019年 DPS Nishizawa Awardを受賞。
セミナー受講料
44,000円( S&T会員受講料41,800円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。
詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
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※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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※他の割引は併用できません。
受講料
44,000円（税込）/人
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