各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状主にSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイスの性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。ワイドギャップ半導体パワーデバイスの量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本は、ここでも海外メーカに後れを取っています。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。
　

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者
　

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
　

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
　1-1．パワーエレクトロニクスへの期待
　1-2．パワーデバイスの適用分野
　1-3．パワーデバイスによる電力変換
　1-4．パワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
　2-1．パワーチップの構造
　2-2．パワーモジュールの構造
　2-3．パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
　3-1．Siパワーデバイスの技術開発
　3-2．SiCパワーデバイスの技術開発
　3-3．GaNパワーデバイスの技術開発
　3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4．電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
　4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史
　4-2．世界のパワーデバイスの状況
　4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

キーワード：
半導体,パワー,デバイス,モジュール,チップ,ワイドギャップ,SiC,GaN

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本 秀和　氏
　兼　パワーデバイスイネーブリング協会　理事
　兼　FTB研究所　特別顧問
　兼　千葉工業大学　非常勤講師、共同研究員

＜ご専門＞
　半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス

＜学協会＞
　パワーデバイスイネーブリング協会

＜ご略歴＞
　1984年3月　北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士）
　1984年4月　三菱電機(株)入社（2010年3月退社）
　2010年4月　千葉工業大学 教授（2022年3月退職）
　2015年6月　パワーデバイスイネーブリング協会 理事
　2022年4月　FTB研究所　特別顧問
　2022年4月　千葉工業大学　非常勤講師
　2022年8月　グリーンパワー山本研究所　所長
　2022年8月　千葉工業大学　付属研究所　共同研究員

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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