パワーモジュールパッケージの高耐熱化・低熱抵抗化の技術動向

セミナー趣旨

パワー半導体モジュールは高電圧大電流を扱い、高い放熱性、絶縁性、信頼性が求められるため、構成材料は数多く構造が複雑になっている。従来のSi 半導体に加えて、高温動作が可能なSiC半導体の登場により、パワーモジュールに対する低熱抵抗化・高耐熱化の要求が高まっている。今回は構成材料ごとに国内外の実例を交えて開発動向を網羅的に解説したい。

習得できる知識

・パワーモジュールを構成する材料
・構成材料ごとの技術トレンド
・新しいプロセス技術や装置技術
・モジュールサプライヤー各社の代表的なパッケージ構造

セミナープログラム

※プログラムを修正いたしました（5/16掲載）

１．はじめに～パワー半導体の動向

２．パワーモジュール実装技術と要求事項　

３．パワーモジュールの類型
　3-1.半導体素子と動作温度
　3-2.パッケージ形状・封止
　3-3.絶縁
　3-4.放熱冷却

４．ダイトップ
　4-1.各種ウェッジワイヤボンディング
　4-2.クリップ構造 

５．ダイアタッチ
　5-1.各種高温鉛はんだ代替材料
　5-2.焼結接合材 (加圧・無加圧)
　5-3.両面焼結構造そ

６．サブストレート
　6-1.各種絶縁セラミック基板と低熱抵抗放熱構造
　6-2.絶縁樹脂基板 (IMB)

７．電動車用パワーモジュールの実例紹介
  7-1.片面直接冷却ケースモジュール                              
　　　Infineon HybridPACK Drive 等
  7-2.クリップ構造採用片面間接冷却モールドモジュール
　　　STMicroelectronics STPak 等
  7-3.両面冷却モールドパッケージ 

セミナー講師

（株）P-SAT 代表取締役　郷司 浩市 氏
＜略歴＞
1983年神戸大学経済学部卒、同年三菱金属㈱電子材料事業部門に配属、金・銅ボンディングワイヤ、メーンフレーム用ダイアタッチはんだ材、封止材用合成石英フィラー等シリコン化合物などの営業を担当し、92年からは技術部門に移りAlNセラミック回路基板を担当、95年に全社企画部門に移り、ヒートシンクやAlSiC MMCベース板を含めたサーマルマネジメント事業の事業開発を行い、97年にはDBA基板のトヨタプリウスへの採用を得る。2006年からは外資企業に転じ、白Umicore (電池材料)、米Kulicke & Soffa (ワイヤボンダ)、独Heraeus (銅・アルミボンディングワイヤ、 マイクロ銀焼結材、セラミック回路基板、リードフレーム等) で勤務する。2017年からバンドー化学㈱でナノ銀焼結材も経験する。結果的に、ボンディングワイヤ、ダイアタッチ材、セラミック回路基板の分野において、日系企業と外資企業の両方で経験を積むことになった。2020年 （株）P-SATを設立して、パワーモジュール関連のコンサル、サポートを行っている。2023年「パワーモジュールの高性能化を支える高耐熱・高信頼性材料と実装技術」(サイエンス&テクノロジー) 総論部分を執筆。エレクトロニクス実装学会、化学工学会エレクトロニクス部会会員。

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。