パワーデバイスの現状と将来展望【アーカイブ配信】

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状90％以上がSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイス性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
　本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について解説します。
　

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者　

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
　1-1．パワーエレクトロニクスへの期待
　1-2．パワーデバイスの適用分野
　1-3．パワーデバイスによる電力変換
　1-4．パワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
　2-1．パワーチップの構造
　2-2．パワーモジュールの構造
　2-3．パワーデバイスの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
　3-1．Siパワーデバイスの技術開発
　3-2．SiCパワーデバイスの技術開発
　3-3．GaNパワーデバイスの技術開発
　3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4．電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
　4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史
　4-2．世界のパワーデバイスの状況
　4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

半導体、パワー、デバイス、モジュール、チップ、ワイドギャップ、SiC、GaN

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本秀和　氏
　兼　FTB研究所　特別顧問
　兼　パワーデバイスイネーブリング協会　理事
　兼　千葉工業大学　非常勤講師、共同研究員

＜ご専門＞
　半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス

＜学協会＞
　パワーデバイスイネーブリング協会

＜ご略歴＞
　1984年3月　北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士）
　1984年4月　三菱電機(株)入社（2010年3月退社）
　2010年4月　千葉工業大学 教授（2022年3月退職）
　2015年6月　パワーデバイスイネーブリング協会 理事
　2022年4月　FTB研究所　特別顧問
　2022年4月　千葉工業大学　非常勤講師
　2022年8月　グリーンパワー山本研究所　所長
　2022年8月　千葉工業大学　付属研究所　共同研究員

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
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受講について

・こちらは4/10開催WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

・セミナー資料は配信開始日までにPDFで配布します。セミナー資料は紙媒体では送付しません。セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

・動画のURLはメールでお送りします。