ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化

セミナー趣旨

現在、環境・省エネルギーの観点や電気自動車への期待から、エネルギー効率が格段に高くなるワイドギャップ半導体の研究が盛んに行われています。その中で、ダイヤモンド半導体は最も効率が高い「究極のパワー半導体」です。しかし、これまでは、ダイヤモンド結晶のサイズの問題や半導体デバイスの技術的な問題により、なかなか進展が見られませんでした。
ところが、この1，2年で、2インチ径ダイヤモンドウェハを量産できる結晶成長技術や半導体デバイス特性を決めるデバイス作製技術が急速に進展し、「究極のパワー半導体デバイス」が現実味を帯びてきました。
本セミナーでは、ダイヤモンドの半導体での物性の説明から、急速に進展したダイヤモンドの結晶成長技術とデバイス作製技術をわかりやすく説明いたします。

受講対象・レベル

企業、大学の研究開発の現場におられる研究者、技術者から、一般、学生の方まで対象としております。

習得できる知識

・ダイヤモンドの半導体物性がなぜ優れているのか
・ダイヤモンドの半導体デバイスの作製方法
・ダイヤモンドの半導体デバイスの特性
・ダイヤモンド半導体デバイスの今後の課題

セミナープログラム

１．ダイヤモンド半導体の社会からの期待
　1.1 ダイヤモンドの物性の特徴
　1.2 様々なダイヤモンド半導体デバイス

２．ダイヤモンド結晶成長技術
　2.1 ダイヤモンド結晶成長の基礎
　2.2 ダイヤモンドCVD成長技術
　2.3 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術
　2.4 なぜサファイア基板を用いるか　
　2.5 ダイヤモンド結晶成長機構の最近の成果
　2.6 今後の課題　

３．ダイヤモンド半導体デバイス作製技術
　3.1 パワー半導体デバイスの原理
　3.2 ダイヤモンドのドーピング技術
　3.3 ダイヤモンドの絶縁膜堆積技術
　3.4 ダイヤモンドFET作製方法
　3.5 ダイヤモンドFETの新構造、選択ドーピング構造
　3.6 ダイヤモンドFETのパワー特性
　3.7 ダイヤモンドFETの高周波特性
　3.8 今後の課題

４．将来の展望

５．まとめ

【質疑応答】

セミナー講師

佐賀大学　大学院理工学研究科　教授　博士(工学)　嘉数 誠 氏

【略歴】
1985年 京都大学工学部電気工学科卒業
1990年 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士課程　単位取得退学
1990年 日本電信電話株式会社入社・基礎研究所（現在の物性科学基礎研究所）　
2011年 佐賀大学大学院工学系研究科　教授　（現在に至る）
この間
1992年　京都大学・博士（工学）号取得
2002年～2003年　独・ウルム大学 電子デバイス回路学科・客員研究員
2007年　パリ大学（第13）工学部 プラズマ工学専攻・招聘教授
2015年～2018年 宇宙航空研究開発機構　宇宙科学研究所 宇宙機応用工学研究系　客員教授

セミナー受講料

1名につき49，500円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44，000円（税込）〕

受講について

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