積層セラミックコンデンサ(MLCC)の原材料技術および高積層化・大容量化・高信頼性の技術動向と今後の展望

BaTiO3・誘電体材料技術動向、グリーンシート技術動向、Ni電極やNi-Sn最新動向
MLCCの信頼性評価、自動車用コンデンサの要求性能 etc.

MLCCの材料・製造プロセスから、高積層化・大容量化そして近年需要が急増する高信頼性対応技術動向まで幅広く解説
MLCC関連材料開発者からユーザーまでお役立ていただける一講

セミナー趣旨

 積層セラミックスコンデンサ-(MLCC)はスマ-トホンやパソコンに代表されるように小型化、 高性能化、省電力化が進んだ電子機器で数多く使用されている代表的な受動部品である。特に、内部電極をNi金属に代えたNi内電MLCCはNi金属の低コスト化を特徴にして”大容量・小型化”が急激に進んだ。チップサイズは年々小型化し0201タイプ(0.2x0.1mm)の実用化も始まっている。アルミ電解コンデンサやタンタルコンデンサに取って代わる大容量MLCCにおいても、材料の誘電率の向上、誘電体層の薄層化、多層化が進んでいる。近年、自動車のEV化が進み、低ESL構造MLCC、高温対応MLCCS等 “高信頼性” 対応の需要も急増している。近い将来、5G/beyond5G および6Gにおいても”誘電体材料”は必要とされる。当講座ではNi内電MLCCの材料から始まって、高積層技術、更に”将来展望”まで幅広く、且つ詳細に解説を行なう。更に、高信頼性を目指した、内部電極のNi-Snの最新開発動向も報告する。

受講対象・レベル

・セラミックス原料を扱っている方
・電子セラミックスを製造している方
・MLCCを使用している方

習得できる知識

・積層コンデンサ-(MLCC)材料の基礎から応用まで
・原料から完成体まで
・MLCCの高積層・高容量の技術
・積層の技術、その問題点  

セミナープログラム

1.MLCCのサイズの変遷、MLCC世界ランキングと市場、世界最小MLCCの出現
2.MLCC事情、スマートホン・自動車に搭載される電子部品、MLCCの形状と規格
3.MLCCをLCR等価回路で考えると、低ESLコンデンサの利用、必要性
4.MLCCの小型・大容量化の展開の歴史から現状
5.MLCC材料から見たBaTiO3+希土類+アクセプタ+固溶制御材+焼結助剤の歴史
6.COG,NP0特性のCu内電MLCC
7.MLCCの小型化、容量密度の進化、誘電体層薄層化の進化
8.MLCCの進展方向、小型化、大容量、高信頼性、自動車用コンデンサの要求性能
9.Ni-MLCCの製造プロセス、グリーンシートの技術動向
10.高信頼性MLCCに必要なこと、微小粒径、コア・シェル構造の利点
11.薄膜用MLCCに求められる特性、水熱BaTiO3、修酸法BaTiO3
12.固相法によるBaTiO3の微細化
13.微少・均一BaTiO3のためのアナターゼTiO2, アナターゼTiO2の合成法
14.固相反応によるBaTiO3 の反応メカニズム
15.水蒸気固相反応法、水を介してBaTiO3の低温反応、水で加速する室温固相反応(BaTiO3)
16.粉砕と分散とは、メデイアのサイズ、メデイアの材質
17.X8R規格のMLCC、(Ba,Ca,Sn)TiO3の特性評価、Caの役割、Snの役割
18.X8R規格のMLCCの他の方法、応力印加効果
19.電圧印加で容量が増加するMLCCとは
20.PZT薄膜のキュリー点が600℃???歪エンジニアリング、”Strain Engineering”
21.高積層・高容量MLCCのためのNi内部電極用Ni微粒子、供材
22.2段焼成法のNi内部電極の効果,カバーレッジの向上
23.Ni内部電極の成形メカニズム(膜断面の観察)
24.Ni内部電極の連続性(カバーレッジ)向上のメカニズム
25.Ni電極向上のために(Ni微粒子径、粒度分布、供材添加)
26.Ni電極の将来ヒアリング結果
27.熱プラズマNi微粒子
28.Ni電極への添加効果(Ni-Cr, Ni-Sn),Ni-Sn内電MLCCの特性
29.Ni電極印刷法(グラビア印刷)
30.プラズマ法、微粒子コーテイング法
31.MLCC外部電極(高温対応)
32.MLCCの信頼性 KFM法J-E評価
33.MLCCの信頼性 構造評価、粒内および粒界の総合評価, J-E特性より
34.MLCCの信頼性 酸素欠陥評価
35.最近のMLCC研究動向
36.まとめ

37.付記)反応性スパッタ及びMOCVDを用いたBaTiO3及びBa(Zr,Ti)O3薄膜の作製・高周波特性評価
38.付記)現象論的熱力学を用いたBaTiO3の特性シミユレーション

 □質疑応答□

セミナー講師

防衛大学校 名誉教授 / 大阪公立大学 客員教授 工学博士 山本 孝 氏
【専門】電子材料、通信材料、高周波材料、電波吸収体、電波シールド、強誘電体、圧電体
 
[略歴]
1980年 3月  京都大学大学院工学研究科博士課程電子工学専攻修了
1980年 4月  日本シ-メンス株式会社 入社
1981年 3月  株式会社村田製作所 入社
1981年 8月  防衛大学校  助手(電気工学教室)
1984年 9月   カルフォルニア大学 ロ-レンツ・バ-クレ-研究所客員研究員
1987年 1月  防衛大学校 講師(電気工学教室)
1988年10月  防衛大学校 助教授(電子工学科)
1994年10月  防衛大学校 教授(電気工学科)
2000年4月   防衛大学校 教授(通信工学科)
2014年1月   大阪府立大学材料工学科 客員研究員
2014年3月   防衛大学校 教授 定年退職
2014年8月   防衛大学校 名誉教授
2016年4.月   大阪府立大学 客員教授
2017年4月  同志社大学 非常勤講師
2022年4月  大阪公立大学 客員教授

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49,500円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

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全国

主催者

キーワード

電子デバイス・部品   無機材料

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