ミストCVD法の基礎と酸化ガリウムのパワーデバイスへ向けた結晶成長・薄膜形成技術

セミナー趣旨

　本講演では、低コストの成膜方法として期待されているミストCVD法と、大きなバンドギャップと低コストで形成できる酸化ガリウム（Ga2O3）について紹介する。そのGa2O3は5つの結晶多形が存在し、その結晶多形によって異なる特徴を持つことから、それぞれ異なるデバイスへの応用が検討されている。その結晶多形の特徴や形成技術、またそれぞれの課題などについて説明する。また、論文や特許調査から酸化ガリウムに取り組んでいる研究機関などについても紹介する。形成技術については講演者が開発したミストCVD法を中心に、MBE法やMOCVD法などの手法でのそれぞれの結晶多形についての例を紹介する。また、パワーデバイス応用に重要な不純物添加技術や混晶化技術についても紹介する。

習得できる知識

ミストCVD法の原理
ミストCVD法の歴史
酸化ガリウムの基礎物性
酸化ガリウムの結晶成長技術
酸化ガリウムの各種形成方法

セミナープログラム

１．ミストCVD法
　1-1.ミストCVD法の原理
　1-2.ミストCVD法の歴史
　1-3.ミストCVD法の成膜例（Ga2O3以外）

２．酸化ガリウムの基礎物性
　2-1.酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント
　2-2.酸化ガリウムの結晶多形
　2-3.酸化ガリウムの研究機関

３．酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　3-1.結晶成長・薄膜形成方法
　3-2.酸化ガリウムで用いられる結晶成長・薄膜形成方法

４．α相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　4-1.α-Ga2O3の結晶成長
　4-2.成長法
　4-3.課題と高品質化
　4-4.混晶化技術
　4-5.デバイス動作（結晶成長から見た）
　4-6.n型制御
　4-7.p型制御　

５．β相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　5-1.β-Ga2O3の結晶成長
　5-2.成長法
　5-3.n型制御
　5-4.混晶化技術
　5-5.デバイス動作（結晶成長から見た）

６．κ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　6-1.κ-Ga2O3の結晶成長
　6-2.成長法
　6-3.強誘電体特性とHEMT
　6-4.混晶化技術
　6-5.高品質化

７．γ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　7-1.γ-Ga2O3の結晶成長
　7-2.混晶化技術
　7-3.成長法

８．結晶多形の制御方法

９．まとめと展望

Ga2O3,薄膜形成,結晶成長,結晶多形,不純物添加,混晶化,パワーデバイス,セミナー

セミナー講師

京都工芸繊維大学 電気電子工学系 准教授 博士（工学） 西中 浩之 氏

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
• 受講にはWindowsPCを推奨しております。
  タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。