徹底解説 パワーデバイス

製造技術動向から開発動向、材料価格、用途展開等など、パワーデバイスに関する話題を幅広く！
Siパワーデバイス進化史と将来展望及びSiCやGaN等ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題を徹底解説

受講料

48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 )

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　　※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。
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　　※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
　　　　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
　　※他の割引は併用できません。

講師

千葉工業大学 工学部 電気電子工学科 教授　山本 秀和 氏

趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100％Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
　Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

プログラム

１．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
　1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
　1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
 
２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
　2.1 パワーチップおよびパワーモジュールの構造と要求性能
　2.2 Ｓｉパワーデバイス高性能化の歴史
 
３．ワイドギャップ半導体のポテンシャルと開発ターゲット
　3.1 ワイドギャップ半導体のパワーデバイスとしてのポテンシャル
　3.2 ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
 
４．Ｓｉパワーデバイスの優位性と将来展望
　4.1　Ｓｉパワーデバイスの優位性
　4.2　Ｓｉパワーデバイスの将来展望と課題
 
５．次世代／次々世代パワーデバイスの克服すべき課題
　5.1　ＳｉＣパワーデバイスの課題
　5.2 ＧａＮパワーデバイスの課題
　5.3　酸化ガリウム／ダイヤモンドパワーデバイスの課題
 
６．まとめ ～パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位～

□ 質疑応答 □