パワー半導体用SiCウェハ製造技術の基礎・技術課題・開発動向

セミナー趣旨

  次世代の省エネルギー電力制御機器としてEVや鉄道など社会実装が進むSiCパワー半導体。SiCウェハも8インチが量産品となり、中国を筆頭に１２インチの試作も進んでいる。一方、化学的・機械的に極めて安定なSiCは、ウェハ製造もシリコンより難しい側面もある。
  本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する基礎から応用、最新の開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術の議論と共に、当該分野の国際競争力強化について検討する。

受講対象・レベル

・SiCパワー半導体やSiC材料開発に興味のある方、結晶工学・ウェハ加工技術・材料評価技術に関心のある方

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。

習得できる知識

・半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、加工、評価）の基礎知識。
・近年のSiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題、SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報。

セミナープログラム

１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
　1-1　SiCの基礎と物性
　　　(1)身近なSiC
　　　(2)ワイドギャップ半導体と特徴
　　　(3)SiCウェハ
　　　(4)他半導体材料とSiCの違い
　1-2　SiCパワー半導体への応用
　　　(1)SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
　　　(2)SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
　1-3　SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
　　　(1)パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　　　(2)国内・外でのSiCウェハ開発動向
　　　(3)SiCウェハ開発に対する今後の期待

２．SiC単結晶製造技術
　2-1　SiC単結晶の合成・成長方法
　　　(1)SiCの合成
　　　(2)SiC単結晶の量産技術
　　　(3)各種SiC単結晶成長技術の特徴
　　　(4)シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
　2-2　結晶多形と特徴
　　　(1)SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
　　　(2)多形制御技術
　2-3　結晶欠陥と制御　
　　　(1)SiC単結晶の結晶欠陥と影響
　　　(2)SiC単結晶の欠陥評価技術
　　　(3)SiC単結晶の欠陥抑制技術
　2-4　大口径結晶の成長
　　　(1)SiC単結晶の口径拡大成長技術
　　　(2)大口径化がもたらす効果と技術課題
　2-5　n/p型の伝導度制御
　　　(1)SiC単結晶の伝導度制御
　　　(2)SiC単結晶の低抵抗化技術

３．SiCウェハ加工技術
　3-1　SiCのウェハ加工
　　　(1)SiCウェハ加工工程と技術課題
　3-2　ウェハ切断工程
　　　(1)SiC単結晶の切断技術
　　　(2)切断工程の高速化技術
　　　(3)切断工程の課題と新しい切断技術
　3-3　ウェハ研削工程
　　　(1)SiCウェハの研削加工
　　　(2)研削加工の高速・鏡面化技術
　　　(3)研削工程の課題と新しい研削加工技術
　3-4　ウェハ研磨工程
　　　(1)SiCウェハの研磨加工
　　　(2)研磨加工と研削加工の特徴や違い
　　　(3)研磨工程の課題と新しい研削加工技術
　3-5　CMP工程
　　　(1)SiCウェハのCMP加工
　　　(2)CMPの高速化技術
　　　(3)CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
　3-6　加工変質層と評価
　　　(1)加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　　　(2)加工変質層の評価技術
　　　(3)加工変質層の抑制技術
　3-7大口径化対応
　　　(1)SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　　　(2)大口径化対応へ向けた解決策の検討
　

【質疑応答】

キーワード：
SiC,パワー半導体,ウェハ加工,結晶工学,結晶成長,製造技術,セミナー,講演

セミナー講師

（国研）産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
研究チーム長 博士（工学） 加藤 智久 氏
【ご専門】
ワイドギャップ半導体バルク単結晶成長、ウェハ加工技術、X線結晶学、鉱物学

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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