半導体デバイス製造工程・CMPの基礎と先端パッケージ工程への適用課題【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

　ムーアの法則の継続には微細化だけでは限界となり、デバイス構造の3次元化が進んでいる。そうした構造を実現するためにCMP工程数は大きく増加しており、工程内容も細分化している。また、前工程だけでは所望のデバイス性能が実現できなくなってきており、後工程（パッケージ技術）も大きく変化しており、その中でCMPも用いられ始めている。

　本セミナーではCMPとパッケージ技術の基礎について解説し、先端パッケージに求められるCMP技術と今後の動向予測についてお話しする。

習得できる知識

①CMPの理論
　材料除去メカニズム、平坦化メカニズム

②CMPに用いられる装置
　装置構成の変遷と研磨方式、ヘッドの変遷

③CMPに用いられる消耗材料
　研磨パッドの基礎、スラリーの基礎、ドレッサーの基礎

④CMPの応用工程
　半導体製造工程、ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り

⑤評価方法
　パッドの評価方法、スラリーの評価方法、ドレッサーの評価方法

⑥パッケージ技術の概要
　パッケージ技術の変遷、パッケージ製造の要素技術、先端パッケージ構造

⑦先端パッケージ技術とCMP
　インターポーザー、TSV、ハイブリッドボンディング

セミナープログラム

【講演のポイント】

　CMPとパッケージ技術双方に精通した講演者がそれぞれの技術とその関連性、将来動向予測についてわかりやすく解説する。

【講演のキーワード】

　CMP、パッケージ技術、FOWLP、インターポーザー、チップレット、ハイブリッドボンディング、TSV、スラリー、研磨パッド

【プログラム】

1. 先端デバイスの動向
　1.1 半導体市場の動向
　1.2 ムーアの法則の限界
　1.3 先端デバイス構造とCMP

2. パッケージ技術の動向
　2.1 パッケージ技術の変遷
　2.2 先端パッケージ構造

3. CMPの概要
　3.1 CMPの構成要素
　3.2 CMP関連市場同区

4. 平坦化メカニズム
　4.1 グローバル平坦化とローカル平坦化
　4.2 平坦性改善方法

5. CMP装置
　5.1 装置構成
　5.2 様々なCMP方式
　5.3 研磨ヘッドの変遷
　5.4 終点検出とAPC
　5.5 洗浄

6. 消耗材料
　6.1 CMPスラリーの基礎
　6.2 研磨パッドの基礎
　6.3 パッドコンディショナーの基礎

7. CMP応用工程
　7.1 Cu CMP
　7.2 トランジスタCMP

8. パッケージ技術とCMP
　8.1 先端パッケージに用いられるCMP
　8.2 パッケージ用研磨装置、消耗材料

9. まとめ

【質疑応答】

※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません

※前日のお申込みでも対応させていただきます（早めにご登録いただけると助かります）

セミナー講師

株式会社ISTL　 代表取締役　 礒部　晶　氏

セミナー受講料

●1名様　　：45,100円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません

主催者

開催場所