【オンデマンド配信】次世代パワーデバイス開発の最前線~Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題~

量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と
産業構造の変化

 次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。
 電動化社会を支える材料別戦略を一挙解説!

パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説します。また、今後日本が取るべき技術戦略と復活の鍵についても提言します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。


 日時

【オンデマンド配信】
2025年12月25日(木)  23:59まで申込み受付中/【収録日:2025年9月29日(月) 】※映像時間:2時間52分
※視聴期間:視聴案内日から10営業日後まで(期間中は何度でも視聴可)

【項目】※クリックするとその項目に飛ぶことができます

    セミナー趣旨

    パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活への有り方について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

    受講対象・レベル

    パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
    ※初心者の受講でも問題ない

    習得できる知識

    ・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
    ・パワーデバイスによる電力変換と用途
    ・Siパワーデバイスの高性能化の歴史
    ・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
    ・パワーデバイス用結晶の特異性
    ・SiCパワーデバイスの優位性と課題
    ・GaNパワーデバイスの優位性と課題
    ・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
    ・パワーデバイス産業の将来展望と日本の復活

    セミナープログラム

    1.パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業
     1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
     1.2 パワーデバイスの用途と産業構造

    2.パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
     2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
     2.2 Siパワーデバイスの高性能化

    3.SiCパワーデバイスの優位性と課題
     3.1 SiCパワーデバイスの優位性
     3.2 SiCパワーデバイスの課題

    4.GaNパワーデバイスの優位性と課題
     4.1 GaNパワーデバイスの優位性
     4.2 GaNパワーデバイスの課題

    5.Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
     5.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
     5.2 Ga2O3パワーデバイスの課題

    6.パワーデバイスの将来展望
     6.1 パワーデバイス業界の動向
     6.2 日本のパワーデバイスの地位低下と復活

    セミナー講師

    グリーンパワー山本研究所
    所長 山本 秀和 氏

    <ご専門>
    半導体デバイス、半導体結晶

    <兼任および経歴>
    ・FTB研究所 特別顧問 
    ・パワーデバイスイネーブリング協会 理事
    ・千葉工業大学付属研究所 共同研究員
    ・元 千葉工業大学教授
    ・元 三菱電機パワーデバイス開発部長

    <執筆書籍>
    「パワーデバイス」(コロナ社)
    「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」(コロナ社)、
    「現代電気電子材料」(共著、コロナ社)
    「半導体LSI技術」(共著、共立出版)
    「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」(共著、シーエムシー出版)
    「はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編」(共著、日経BPコンサルティング)
    「半導体デバイスの不良・故障解析技術」(共著、日科技連出版社)
    「先端パワーデバイス実装技術」(共著、シーエムシー出版)

    セミナー受講料

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    受講について

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    ≪配布資料≫

    ● PDFテキスト(印刷可・編集不可)※S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。
    ● 講師メールアドレスの掲載:有


    (備考)※WEBセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
        ※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております。


    申込締日: 2025/12/25

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    49,500円(税込)/人

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    半導体技術   電子デバイス・部品

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