セミナー趣旨
脱炭素社会の実現に向け、電力変換効率を高めるパワー半導体技術が注目されている。本セミナーでは、AIデータセンターの電源効率化に貢献するGaNデバイスの最新動向と、EV市場にて期待されるSiCデバイスの技術革新を中心に解説する。特にGaNは高周波・高効率動作に優れ、次世代電源設計に不可欠な要素である。一方、EV向けSiCは市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が進んでいる。しかし現状では、依然としてシリコンパワーデバイスが主役に君臨している。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
セミナープログラム
1. パワーエレクトロニクス(パワエレ)、パワーデバイスとは何?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2. シリコンパワーデバイスの現状と課題
2-1 パワー半導体デバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
1) 低耐圧MOSFET
2) 高耐圧MOSFET
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT特性改善の次の一手
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している
理由
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各企業はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
3-5 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-6 SiC-MOSFETコストダウンのための技術開発
3-7 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-8 最新SiC-MOSFET低オン抵抗化技術
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNパワーデバイスの特徴はなにか?
4-2 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-3 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
4-4 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
4-5 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-6 最近のGaN-HEMTの進展
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムとその特徴
5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
6. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
6-3 接合材について
6-4 銀または銅焼結接合技術
6-5 SiC-MOSFETモジュール技術
7. まとめ
セミナー講師
岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)
セミナー受講料
52,800円 (Eメール案内登録価格:1名46,200円,2名52,800円,3名71,500円,4名以上ご参加人数×20,900円)
※資料付
※Eメール案内を希望されない方は、「52,800円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様52,800円から
★1名で申込の場合、46,200円
★2名同時申込の場合は、2名様で52,800円(2人目無料)
★3名同時申込の場合は、3名様で71,500円
★4名以上同時申込の場合は、ご参加人数×20,900円
※2名様以上の価格は同一法人内に限ります。
※2名様ご参加は参加者全員の参加申込が必要です。
配付資料について
本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
開催日前日までにダウンロードURLお送りいたします。
備考
<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。 ※ZoomをインストールすることなくWebブラウザでの参加も可能です。 お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。 キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。
<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
受講料
52,800円(税込)/人
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2026/01/21(水)
13:00 ~ 16:00
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