Si・SiC・GaN・酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイス技術と業界展望2026【Webセミナー】

 

 
 

 

 

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    セミナー趣旨

    脱炭素社会の実現に向け、電力変換効率を高めるパワー半導体技術が注目されている。本セミナーでは、AIデータセンターの電源効率化に貢献するGaNデバイスの最新動向と、EV市場にて期待されるSiCデバイスの技術革新を中心に解説する。特にGaNは高周波・高効率動作に優れ、次世代電源設計に不可欠な要素である。一方、EV向けSiCは市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が進んでいる。しかし現状では、依然としてシリコンパワーデバイスが主役に君臨している。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

     
     

     

     

    セミナープログラム

    1.  パワーエレクトロニクス(パワエレ)、パワーデバイスとは何?
     1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
     1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
     1-3 パワーデバイスの適用分野
     1-4 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

    2. シリコンパワーデバイスの現状と課題
     2-1 パワー半導体デバイス市場の現在と将来
     2-2 MOSFET特性改善を支える技術
      1) 低耐圧MOSFET
      2) 高耐圧MOSFET
     2-3 IGBT特性改善を支える技術
     2-4 IGBT特性改善の次の一手

    3. SiCパワーデバイスの現状と課題
     3-1 半導体デバイス材料の変遷
     3-2 ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している
        理由
     3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
     3-4 各企業はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
     3-5 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
     3-6 SiC-MOSFETコストダウンのための技術開発
     3-7 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
     3-8 最新SiC-MOSFET低オン抵抗化技術
     3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
     3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

    4. GaNパワーデバイスの現状と課題
     4-1 GaNパワーデバイスの特徴はなにか?
     4-2 SiCとGaNデバイスの狙う市場
     4-3 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
     4-4 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
     4-5 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
     4-6 最近のGaN-HEMTの進展
     4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

    5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
     5-1 酸化ガリウムとその特徴
     5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
     5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況

    6. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
     6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
     6-2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
     6-3 接合材について
     6-4 銀または銅焼結接合技術
     6-5 SiC-MOSFETモジュール技術

    7. まとめ

    セミナー講師

    岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)

     
     

     

     

    セミナー受講料

    52,800円 (Eメール案内登録価格:1名46,200円,2名52,800円,3名71,500円,4名以上ご参加人数×20,900円)
    ※資料付
    ※Eメール案内を希望されない方は、「52,800円×ご参加人数」の受講料です。
    ※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様52,800円から
     ★1名で申込の場合、46,200円
     ★2名同時申込の場合は、2名様で52,800円(2人目無料)
     ★3名同時申込の場合は、3名様で71,500円
     ★4名以上同時申込の場合は、ご参加人数×20,900円

    ※2名様以上の価格は同一法人内に限ります。
    ※2名様ご参加は参加者全員の参加申込が必要です。
    配付資料について
    本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
    開催日前日までにダウンロードURLお送りいたします。

    備考

    <Webセミナーのご説明>

    本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。 ※ZoomをインストールすることなくWebブラウザでの参加も可能です。 お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。 キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

     <禁止事項>

    セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。


     

    受講料

    52,800円(税込)/人

    ※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

    開催日時


    10:30

    受講料

    52,800円(税込)/人

    ※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

    ※銀行振込

    開催場所

    全国

    主催者

    キーワード

    電子デバイス・部品   半導体技術   電気化学

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