Si･SiC･GaN･酸化ガリウム･ダイヤモンドパワーデバイス技術と業界展望2026【Webセミナー】

セミナー趣旨

脱炭素社会の実現に向け、電力変換効率を高めるパワー半導体技術が注目されている。本セミナーでは、AIデータセンターの電源効率化に貢献するGaNデバイスの最新動向と、EV市場にて期待されるSiCデバイスの技術革新を中心に解説する。特にGaNは高周波・高効率動作に優れ、次世代電源設計に不可欠な要素である。一方、EV向けSiCは市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が進んでいる。しかし現状では、依然としてシリコンパワーデバイスが主役に君臨している。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

セミナープログラム

1.　 パワーエレクトロニクス（パワエレ）、パワーデバイスとは何？
　1-1　パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2.　シリコンパワーデバイスの現状と課題
　2-1　パワー半導体デバイス市場の現在と将来
　2-2　MOSFET特性改善を支える技術
　　1) 低耐圧MOSFET
　　2) 高耐圧MOSFET
　2-3　IGBT特性改善を支える技術
　2-4　IGBT特性改善の次の一手

3.　SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　半導体デバイス材料の変遷
　3-2　ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している
　　　　理由
　3-3　なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3-4　各企業はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3-5　SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3-6　SiC-MOSFETコストダウンのための技術開発
　3-7　低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3-8　最新SiC-MOSFET低オン抵抗化技術
　3-9　SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3-10　内蔵ダイオード信頼性向上技術

4.　GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1　GaNパワーデバイスの特徴はなにか？
　4-2　SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4-3　GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4-4　ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4-5　GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-6　最近のGaN-HEMTの進展
　4-7　縦型GaNデバイスの最新動向

5.　酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
　5-1　酸化ガリウムとその特徴
　5-2　酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
　5-3　ダイヤモンドパワーデバイス開発状況

6.　SiCパワーデバイス高温対応実装技術
　6-1　SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6-2　配線のインダクタンスを低減したパッケージ
　6-3　接合材について
　6-4　銀または銅焼結接合技術
　6-5　SiC-MOSFETモジュール技術

7.　まとめ

セミナー講師

岩室　憲幸　氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授　博士（工学）

セミナー受講料

52,800円　(Eメール案内登録価格：1名46,200円，2名52,800円，3名71,500円，4名以上ご参加人数×20,900円)
※資料付
※Eメール案内を希望されない方は、「52,800円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様52,800円から
　★1名で申込の場合、46,200円
　★2名同時申込の場合は、2名様で52,800円(2人目無料)
　★3名同時申込の場合は、3名様で71,500円
　★4名以上同時申込の場合は、ご参加人数×20,900円

※2名様以上の価格は同一法人内に限ります。
※2名様ご参加は参加者全員の参加申込が必要です。
配付資料について
本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
開催日前日までにダウンロードURLお送りいたします。

主催者

開催場所

備考

＜Webセミナーのご説明＞

本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。 ※ZoomをインストールすることなくWebブラウザでの参加も可能です。 お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。 キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

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