＜基礎から学べる＞半導体製造プロセスにおけるドライエッチング～ドライエッチングの基礎及びプロセス技術、最新の技術動向～＜会場受講＞

セミナー趣旨

  半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術の進展の歴史、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への実装について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みとALE(Atomic Layer etching)技術の応用について解説する。

受講対象・レベル

半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。

必要な予備知識

半導体製造プロセスに関する一般的な知識

セミナープログラム

1．イントロダクション
　　1-1　半導体デバイスのトレンド
　　1-2　半導体プロセスの概要
2．ドライエッチング装置の概要
　　2-1　プラズマエッチング技術の歴史(概略)
　　2-2　プラズマ源とドライエッチング装置
3．ドライエッチングの反応メカニズム
　　3-1　イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
　　3-2　エッチング選択比とガス種
　　3-3　CDシフト(寸法変動)のメカニズム
　　3-4　均一性制御技術：ウエハ温度・ガス分布制御
　　3-5　構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用
4．LER、Wiggling、Twisting抑制技術
　　4-1　堆積制御によるLER改善とEUV応用
　　4-2　応力制御によるWiggling抑制
　　4-3　高アスペクト比絶縁膜加工
5．最先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
　　5-1　DTCO採用に伴うエッチングの課題
　　5-2　Si/SiGe fin etching (ALE応用）
　　5-3　SAC対応エッチング技術(ALE応用）
　　5-4　WFM patterning
6．GAA/CFET世代のエッチング技術
　　6-1　GAAのエッチング課題とリセス加工
　　6-2　CFETで求められるエッチング技術
7．コンフォーマルドライエッチング
　　7-1　等方性ドライエッチング技術の概要
　　7-2　熱サイクルALE技術と装置
　　7-3　各膜材料のコンフォーマル加工
8．環境およびデジタル化に向けた取り組み（概略）
9．まとめ

＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

セミナー講師

 株式会社日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 主管技師長 工学博士　 伊澤 勝 氏

■ご略歴
１９８９年４月 （株）日立製作所入社・生産技術研究所に配属
１９９２年８月 同社・中央研究所に転属し、半導体エッチング技術の研究開発に従事
２０１２年４月 （株）日立ハイテクに転属し、半導体エッチング技術開発および顧客開発に従事。
２０１９年４月～　現職。引き続き、半導体エッチング技術開発および顧客開発に従事。
■ご専門
半導体プラズマエッチング装置およびプロセス技術の開発
分子シミュレーション技術および表面反応メカニズム解析
■本テーマ関連学協会でのご活動
２００７年　ドライプロセス国際シンポジウム　論文委員長　（電気学会）
２０１１年～２０１２年　ドライプロセス国際シンポジウム　組織委員長
２０１９年～ SSDM組織委員

セミナー受講料

1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。

主催者

開催場所

受講について

• 感染拡大防止対策にご協力下さい。
• セミナー会場での現金支払いを休止しております。
• 新型コロナウイルスの感染防止の一環として当面の間、昼食の提供サービスは中止させて頂きます。
• 配布資料は、当日セミナー会場でのお渡しとなります。
• 録音・録画行為は固くお断り致します。
• 講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
• 講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。(＊PC実習講座を除きます。)