
<性能を左右するゲート絶縁膜の高度化へ>SiCパワーMOSFETの高性能化技術~SiO2とSiCの界面形成手法を再考する~
■SiCゲートスタック形成における各種のMOS界面形成技術■
■SiC MOS界面欠陥パッシベーション技術、SiC MOSFETの高移動度化技術■
■SiCの酸化反応、窒化反応、その他の表面反応の特徴の理解■
★ SiCパワーMOSFETの性能を左右するキーテクノロジー:
ゲート絶縁膜となるSiO2とSiCチャネルとの界面形成技術を解説!
★ さまざまな表面反応に着目して解説します。各種の界面形成プロセスの効果やその課題とは!?
日時
【Live配信受講】 2025年10月29日(水) 13:00~16:30
【アーカイブ受講】2025年10月30日(木)~11月5日(水)まで
このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
セミナー趣旨
本講座では、SiCとSiO2の界面で生じる諸現象を、SiCの酸化反応や窒化反応だけでなく、様々な表面反応に着目して解説し、各種の界面形成プロセスの効果やその課題について理解を深めます。
習得できる知識
・SiCゲートスタック形成における各種のMOS界面形成技術
・SiC MOS界面欠陥パッシベーション技術、SiC MOSFETの高移動度化技術
・SiCの酸化反応、窒化反応、その他の表面反応の特徴の理解
セミナープログラム
(1) MOS反転層とは
(2) 反転層チャネルの移動度を決める因子
(3) MOS界面欠陥準位とは
(4) ゲートスタックの信頼性
(5) MOSFETの閾値と界面欠陥
2.SiC MOSFETのゲートスタックの現状と問題点
(1) ゲート絶縁膜に求められる因子
(2) SiC MOS界面形成の難しさ
(3) SiC ゲート絶縁膜形成技術の紹介
(4) Si MOSFETとSiC MOSFETの決定的な違い
3.ゲート絶縁膜形成のためのSiC表面反応を理解する
(1) SiCと各種の酸化反応の理解
(2) SiC窒化反応の理解
4.SiC MOS界面近傍の構造
(1) SiC MOS界面近傍のSiOx層の重要性
(2) SiO2に不純物を加える効果
(3) 絶縁膜形成が与えるSiC表面近傍の変化
5.SiC MOS界面形成手法を再考する
(1) 各種の新規プロセスの効果の理解
(2) SiC MOSFETにおける閾値電圧の重要性と制御の可能性
(3) 理想的な界面構造
(4) まとめと展望
□質疑応答□
セミナー講師
【経歴・研究内容・専門など】
2001年に東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻にて助手、その後同専攻の講師、准教授を経て2022年より現職。
一貫してゲート絶縁膜形成技術の高度化とそれを用いたMOSFET高性能化技術に取り組む。先端CMOSへ向けた高誘電率ゲート絶縁膜形成技術とその界面科学、高移動度GeチャネルMOSFET形成技術、高機能パワーMOSFETへ向けたSiC、Ga2O3 MOSゲートスタック形成技術などの研究を行っている。
【WebSite】
https://www.scio.t.u-tokyo.ac.jp/index.html
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