次世代パワーデバイス開発の最前線~Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題~

□量産課題と将来性から考えるパワーデバイス□
   材料別の技術優位性と産業構造の変化
 受講可能な形式:【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ 

次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。
電動化社会を支える材料別戦略を一挙解説!
パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説します。また、今後日本が取るべき技術戦略と復活の鍵についても提言します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。 


日時

【Live配信受講】 2025年9月29日(月)  13:00~16:30
【アーカイブ受講】2025年10月14日(火)  まで申込み受付(視聴期間:10/14~10/27)

【項目】※クリックするとその項目に飛ぶことができます

    セミナー趣旨

    パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活への有り方について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

    受講対象・レベル

    パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
    ※初心者の受講でも問題ない

    習得できる知識

    ・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
    ・パワーデバイスによる電力変換と用途
    ・Siパワーデバイスの高性能化の歴史
    ・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
    ・パワーデバイス用結晶の特異性
    ・SiCパワーデバイスの優位性と課題
    ・GaNパワーデバイスの優位性と課題
    ・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
    ・パワーデバイス産業の将来展望と日本の復活

    セミナープログラム

    1.パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業
     1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
     1.2 パワーデバイスの用途と産業構造

    2.パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
     2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
     2.2 Siパワーデバイスの高性能化

    3.SiCパワーデバイスの優位性と課題
     3.1 SiCパワーデバイスの優位性
     3.2 SiCパワーデバイスの課題

    4.GaNパワーデバイスの優位性と課題
     4.1 GaNパワーデバイスの優位性
     4.2 GaNパワーデバイスの課題

    5.Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
     5.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
     5.2 Ga2O3パワーデバイスの課題

    6.パワーデバイスの将来展望
     6.1 パワーデバイス業界の動向
     6.2 日本のパワーデバイスの地位低下と復活

    □質疑応答□

    セミナー講師

    グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 先生

    <主なご経歴>
    1984年3月 北海道大学大学院博士後期課程修了(工学博士)
    1984年4月 三菱電機(株)入社(20210年3月退社)
    2010年4月 千葉工業大学 教授
    2015年6月 パワーデバイスイネーブリング協会 理事

    元 三菱電機(株)パワーデバイス開発部長
    現 パワーデバイスイネーブリング協会理事

    <ご専門>
    半導体デバイス、半導体結晶、パワーデバイス

    <その他 所属・役職>
    ・FTB研究所 特別顧問 
    ・パワーデバイスイネーブリング協会 理事
    ・千葉工業大学付属研究所 共同研究員
    ・元 千葉工業大学教授
    ・元 三菱電機パワーデバイス開発部長

    <執筆書籍>
    「パワーデバイス」(コロナ社)
    「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」(コロナ社)、
    「現代電気電子材料」(共著、コロナ社)
    「半導体LSI技術」(共著、共立出版)
    「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」(共著、シーエムシー出版)
    「はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編」(共著、日経BPコンサルティング)
    「半導体デバイスの不良・故障解析技術」(共著、日科技連出版社)
    「先端パワーデバイス実装技術」(共著、シーエムシー出版)

    セミナー受講料

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    受講について

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    セミナー視聴はマイページから
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    (アーカイブ配信は、配信日に表示されます。)

    ≪配布資料≫
    PDFテキスト(印刷可・編集不可)
     ※ライブ配信受講は開催2日前を目安にS&T会員のマイページよりダウンロード可となります。
      なお、アーカイブ配信受講の場合は、配信日になります。


    (備考)※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
        ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。


     

    受講料

    49,500円(税込)/人

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    開催場所

    全国

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    キーワード

    半導体技術   電子デバイス・部品

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