GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開

★EV、データセンターへの応用が進むGaNパワー半導体の現状と将来像
　期待が大きい縦型デバイスの優位性、社会実装へ向けた最新の開発動向も解説

【Live配信】２０２５年９月１０日（水）　１３：００～１６：３０
【アーカイブ（録画）配信】 ２０２５年９月２２日まで受付（視聴期間：９月２２日～１０月２日まで）

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    セミナー趣旨

    　将来の高効率パワーデバイスの有力な候補とされているGaNを用いたパワーデバイスの現状と将来を理解していただく。横型パワーデバイスはGaN特有の構造で多くの特徴を持ち、開発も進んで実用化されつつある。Siと比べても優位性を持つことから、システム応用が進んでおり、わが国でも応用展開を喚起したい。縦型パワーデバイスはまだ実用化手前であるが、その開発は速いスピードで進んでおり,現状と課題を説明する。今のところ我が国がリードしていると考えているが、世界での開発競争が始まっており、危機感を共有したい。

    習得できる知識

    ・GaNという材料の特徴
    ・横型構造GaNパワーデバイスの特徴と実際
    ・縦型構造GaNパワーデバイスの他材料に対する優位性、差別化
    ・縦型構造GaNパワーデバイス開発の現状と展望

    セミナープログラム

    １．GaNの物性と強み

    ２．GaNパワーデバイスの特徴

    ３.　横型パワーデバイス
    　3.1 横型パワーデバイスの構造と特徴
    　3.2 技術課題と対策
    　　3.2.1 電流コラプス
    　　3.2.2 ノーマリオフ
    　　3.2.3 エピタキシャル成長
    　3.3 実際の構造とパッケージング
    　3.4 世界の開発動向と応用

    ４．縦型パワーデバイス
    　4.1 縦型パワーデバイスの構造と特徴
    　4.2 作製プロセスの課題
    　4.3 要素技術の現状
    　　4.3.1 結晶成長技術
    　　4.3.2 トレンチ加工技術
    　　4.3.3 ゲート絶縁膜とチャネル移動度
    　　4.3.4 イオン注入技術
    　　4.3.5 GaN基板開発の現状
    　4.3 縦型パワーデバイスの実際
    　　4.3.1 Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード
    　　4.3.2 Junction FET
    　　4.3.3 MOSFET
    　4.4 開発の展望と応用

    ５．全体のまとめ


    【質疑応答】

    キーワード：GaN　パワー　縦型　セミナー

    セミナー講師

    名古屋大学　未来材料・システム研究所　特任教授　工学博士　加地 徹 氏

    セミナー受講料

    1名につき49，500円（消費税込・資料付き）
    〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44，000円（税込）〕

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    受講料

    49,500円（税込）/人

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    キーワード

    電子デバイス・部品   半導体技術   無機材料
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