ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

セミナー趣旨

習得できる知識

ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます。また、各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学びます。その他に、原料ガスや反応ガス選択の指針や、その場観察手法として利用されているQCM（Quartz Crystal Microbalance）などの解析手法についても学習できます。

セミナープログラム

セミナー講師

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授　霜垣 幸浩　先生

＜ご経歴＞
1989年　東京大学 工学部 化学工学科 助手
1991年　東京大学 工学部 化学工学科 講師
1997年　東京大学 大学院 化学システム工学専攻 助教授
1998年　東京大学 大学院 金属工学専攻 助教授
2001年　東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 助教授 (改組)
2011年　東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 教授
1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
2007年より,化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
2014年開催 ALD国際学会 実行委員長

1984年から現在に至るまで、CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
2007年より、化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として、CVD関連技術の普及・発展に寄与
2014年開催ALD国際学会実行委員長

＜ご専門＞
反応工学・デバイスプロセス

＜主なご研究内容＞
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発

＜最近のご受賞＞
2024年度化学工学会・学会賞受賞 業績題目「化学反応を利用した薄膜形成プロセスの論理的最適化に関する研究」

【研究室HP】https://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp/
【CVD反応分科会】https://scej-cre.org/cre/cvd

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
【S&T(サイエンス＆テクノロジー)会員登録とE-Mail案内(メルマガ)登録特典について】

55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) 
　定価：本体50,000円＋税5,000円
　E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

　E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料　 　
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の27,500円)

＜1名分無料適用条件＞
※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（クレジットカード決済の場合は領収書）は、代表者にS&T会員マイページにて発行いたします（PDF）。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

受講について

≪配布資料≫
　製本テキスト（当日会場でお渡しします。）

（備考）※昼食付
　　　　※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
　　　　※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。