
ALD(原子層堆積法)の基礎とプロセス最適化および最新技術動向
■今、ホットで注目のALDを基礎から学びます。高品質化・最適化へ■
■ALD/ALE2025国際学会(2025年6月開催)など、国際的な最新動向も解説■
受講可能な形式:【会場受講】のみ ※オンラインセミナーはありません。
★ いつも大好評:霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説!
セミナー会場でここだけの話をたくさん聞いてください!
★ CVD/ALDプロセスの速度論からALDプロセス最適化へ。ALDプロセス周辺技術も徹底解説します。
日時
【会場受講】2025年9月19日(金) 10:30~16:30
(東京・千代田区駿河台 連合会館 4F 404会議室)
セミナー趣旨
しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
習得できる知識
ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます。また、各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学びます。その他に、原料ガスや反応ガス選択の指針や、その場観察手法として利用されているQCM(Quartz Crystal Microbalance)などの解析手法についても学習できます。
セミナープログラム
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
1.3 ALD基礎としてのCVD(Chemical Vapor Deposition)プロセス速度論とCVD活用方法
1.4 半導体集積回路(ULSI)の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ
2.ALDプロセスの概要と特徴
2.1 ALD(Atomic Layer Deposition)プロセスの概要と製膜特性
2.2 ALDプロセスの歴史的発展
2.3 ALDプロセスの応用事例(最先端ULSI,DRAM,3D NAND等)
2.4 ALD装置形態と装置・材料市場
2.5 ALD製膜可能な材料と原料ガス
2.6 ALE(Atomic Layer Etching)(原子層エッチング)
2.7 AS(Area Selective)-ALD(選択成長)
3.ALDプロセスの理想と現実,最適化方針
3.1 ALD Windowとは?
3.2 物理吸着の影響と対策
3.3 反応律速の影響と対策
3.4 原料ガス熱分解の影響と対策
3.5 原料ガス脱離の影響と対策
4.ALDプロセスの高スループット化と課題
4.1 GPC(Growth per Cycle)とCT(Cycle Time)の最適化
4.2 GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果
4.3 ALD理想特性を発現させるための条件(蒸気圧と吸着特性)
5.理想的な原料ガス開発の指針
5.1 蒸気圧推算の基礎
5.2 COSMO-SAC法による蒸気圧推算
5.3 COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果
5.4 ニューラルネットワークポテンシャルを利用した原子レベルシミュレーションによる原料ガス吸着特性の予測
6.QCMを用いたガス吸着特性の評価
6.1 QCM(Quartz Crystal Microbalance)を用いたALDその場観察
6.2 QCM(Quartz Crystal Microbalance)の基礎
6.3 QCM測定の高精度化・高速化
6.4 QCMによるTMA(トリメチルアルミニウム)の吸着特性評価(実例紹介)
7.ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
7.1 初期核発生とインキュベーションサイクル
7.2 インキュベーションサイクルと選択成長
7.3 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察,表面処理の影響
8.ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用
8.1 ULSI金属多層配線の課題と対策
8.2 高信頼性多層配線形成へのASD(Area Selective Deposition)の活用
8.3 Co薄膜のALD成長(原料ガス吸着特性と表面反応)
8.4 高選択性ASD実現の基本方針
8.5 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス
8.6 Cu密着層・バリヤ層としてのCoW膜ALD合成
9.ALD関連学会の情報
9.1 応用物理学会
9.2 ALD/ALE2025国際学会(2025年6月開催)
□質疑応答・名刺交換□
セミナー講師
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 先生
<ご経歴>
1989年 東京大学 工学部 化学工学科 助手
1991年 東京大学 工学部 化学工学科 講師
1997年 東京大学 大学院 化学システム工学専攻 助教授
1998年 東京大学 大学院 金属工学専攻 助教授
2001年 東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 助教授 (改組)
2011年 東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 教授
1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
2007年より,化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
2014年開催 ALD国際学会 実行委員長
1984年から現在に至るまで、CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
2007年より、化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として、CVD関連技術の普及・発展に寄与
2014年開催ALD国際学会実行委員長
<ご専門>
反応工学・デバイスプロセス
<主なご研究内容>
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発
<最近のご受賞>
2024年度化学工学会・学会賞受賞 業績題目「化学反応を利用した薄膜形成プロセスの論理的最適化に関する研究」
【研究室HP】https://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp/
【CVD反応分科会】https://scej-cre.org/cre/cvd
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
【S&T(サイエンス&テクノロジー)会員登録とE-Mail案内(メルマガ)登録特典について】
55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録価格:本体47,500円+税4,750円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額の27,500円)
<1名分無料適用条件>
※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(クレジットカード決済の場合は領収書)は、代表者にS&T会員マイページにて発行いたします(PDF)。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
受講について
≪配布資料≫
製本テキスト(当日会場でお渡しします。)
(備考)※昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
受講料
55,000円(税込)/人