ダイヤモンド半導体の特長とウェハ・デバイスの研究開発動向と開発事例・今後の展開【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。
本講演では、ダイヤモンドの特長、ダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

習得できる知識

・ダイヤモンドの基礎的な知識
・ダイヤモンド半導体研究の歴史・特長                                                                  
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する技術と課題

セミナープログラム

1  はじめに　
　1-1   半導体材料としてのダイヤモンドの特長
　1-2   ダイヤモンド半導体研究の歴史

2  ダイヤモンドウェハ製造技術
　2-1    成長（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
　2-2    不純物ドーピング
　2-3   スライス・カット
　2-4   研磨

3  ダイヤモンドダイオード
　3-1   ショットキーバリアダイオード
　3-2   PN接合ダイオード
　3-3   ショットキーPNダイオード(SPND

4  ダイヤモンドトランジスタ
　4-1    MESFET
　4-2    JFET
　4-3    BJT
　4-4    MOSFE

5  その他のデバイス応用
　5-1    深紫外線発光デバイス
　5-2    電子放出デバイス
　5-3    ダイヤモンド電気化学電極
　5-4    ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ

6  まとめと今後の展開

質疑応答

【キーワード】
次世代半導体、パワーデバイス、放射線環境デバイス、宇宙用半導体

セミナー講師

金沢大学　 ナノマテリアル研究所/教授　 徳田　規夫　氏

略歴
筑波大学にてシリコンゲート絶縁膜、シリコン表面・界面構造制御に関する研究で2005年に博士（工学）を取得。
その後、産業技術総合研究所でポスドクとしてダイヤモンド研究を開始。主に、ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長制御技術を研究
2009年4月に金沢大学に助教として着任し、ダイヤモンド半導体ウェハ及びデバイスに関する研究を開始
2011年9月に准教授。2015年2月に金沢大学リサーチプロフェッサー
2018年4月に産業技術総合研究所クロスアポイントフェローを兼任
2018年12月に金沢大学ナノマテリアル研究所教授
2020年4月から2021年3月まで京都大学化学研究所客員教授を兼任
2020年12月から株式会社Kanazawa Diamond取締役を兼任
2021年5月から株式会社VISION IVにて技術顧問を兼任
現在に至る。

研究・業務
学生時代に行っていた原子レベルのシリコンゲート絶縁膜、表面・界面構造制御に関する経験を基に、原子レベルのダイヤモンドエピタキシャル成長、ダイヤモンド表面・界面構造制御に関する研究に取り組み、2016年に、世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に成功。現在は、ダイヤモンドウェハの開発からパワーデバイス、量子デバイスに関する研究を一貫して行っている。

その他 所属・役職
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・幹事
応用物理学会先進パワー半導体分科会・幹事

セミナー受講料

【1名の場合45,100円(税込、テキスト費用を含む)
  2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。