ダイヤモンド半導体の特徴とウェハ・デバイスの作製技術および開発事例

セミナープログラム

第1部　ダイヤモンドパワー半導体デバイス作製技術と大口径ダイヤモンドウェハ成長技術の進展
【13:00-14:15】(前半)
【14:25-15:40】(後半)

講師：佐賀大学大学院理工学研究科　教授/佐賀大学海洋エネルギー研究センター（併任）教授　嘉数　誠　氏

【講演主旨】
　ダイヤモンド半導体は、Si, SiC, GaNより、さらにワイドギャップの半導体で、次世代の高出力・高効率パワー半導体デバイスとして期待されています。講演では、ダイヤモンド半導体の基礎から、最近の優れたパワー半導体デバイス特性、さらに、今後の課題や将来の可能性について、わかりやすく解説します。

【プログラム】
1. なぜダイヤモンド半導体が注目されるか
2. ダイヤモンド半導体の物性
3. ダイヤモンド半導体のこれまでの応用例
4. ダイヤモンド半導体のマイクロ波CVD成長
5. ヘテロエピタキシャル成長
6. ダイヤモンド半導体の不純物ドーピング技術
7. NO2 p型ドーピング技術
8. ダイヤモンドMOSFETの作製
9. 選択ドーピングFETの作製
10. 今後の課題と可能性

【質疑応答】

第2部　ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製
【15:50-17:05 】

講師：早稲田大学　大学院情報生産システム研究科　教授　植田　研二　氏

【講演主旨】
　ダイヤモンドは大きなバンドギャップ（～5.5 eV）や、高絶縁破壊電圧，高熱伝導度等の優れた物理特性を有する事から，次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップと高熱伝導度に加え，化学安定性にも優れている事から極限環境下、特に高温下で安定に使用できるパワーデバイスとして有望である。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製、測定、解析技術及びその技術動向について分かり易く解説を行う。

【キーワード】
ダイヤモンド、パワーデバイス、耐高温、ショットキーダイオード、FET

【講演ポイント】
　講演者はここ20年弱の間、大学及び企業でダイヤモンド半導体薄膜結晶成長及びデバイス作製に携わってきた。中でも精力的に取り組んできたのがダイヤモンド半導体を用いた耐高温デバイス開発であり、ダイヤモンドショットキーダイオードの超高温動作、耐高温高耐圧ダイヤモンドパワーショットキーダイオード作製やイオン注入ダイヤモンドFETの高温動作等、様々の成果を挙げてきた。
　本講座は講演者が上記で得た知見をベースに行っていくが、講座を受講する事で、ダイヤモンド半導体の結晶成長、耐高温デバイスの作製及び評価手法、高温下伝導特性解析技術等に加えて、ダイヤモンド半導体を含む耐高温パワーデバイスの技術動向を把握する事が可能となり、高温パワーデバイス作製・評価に必須となる実践的な技術及び知識が見につく事となる。

【習得できる知識】
・高温デバイス作製に向けたダイヤモンド半導体薄膜作製技術
・高温下でのダイヤモンドデバイス評価技術と特性解析技術
・ダイヤモンド半導体等のワイドギャップ半導体を用いた耐高温デバイスに関する技術動向

【プログラム】
１.   なぜダイヤモンド耐高温パワーデバイスか？
２．ダイヤモンド耐高温パワーデバイスの作製及び高温測定技術
３．耐高温ダイヤモンドショットキーダイオードの作製と高温特性評価
４．耐高温ダイヤモンドFETの作製と高温特性評価
５．ダイヤモンド耐高温パワーデバイスの課題と今後の展望

【質疑応答】

セミナー講師

第1部　佐賀大学大学院理工学研究科　教授/佐賀大学海洋エネルギー研究センター（併任）教授　嘉数　誠　氏

【経歴】
1990年　京都大学大学院博士課程修了、NTT入社
2011年　佐賀大学大学院理工学研究科・教授

第2部　早稲田大学　大学院情報生産システム研究科　教授　植田　研二　氏

【経歴】
2022年04月-継続中
早稲田大学 大学院情報生産システム研究科 教授
2022年06月-2023年03月
東海国立大学機構名古屋大学 大学院工学研究科 客員教授
2017年04月-2022年03月
名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 准教授
2009年04月-2017年03月
名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 准教授
2011年03月-2011年08月
フランスCNRS、ネール研究所、客員研究員（兼務）
2001年02月-2009年03月
NTT物性科学基礎研究所 研究員
2000年04月-2001年01月
大阪大学産業科学研究所 博士研究員（日本学術振興会特別研究員PD(COE)）1998年04月-2000年03月
日本学術振興会特別研究員（DC2）
1996年04月-1997年01月
東芝生産技術研究所 研究員

【受賞】
APEX/JJAP編集貢献賞
2015年04月 日本応用物理学会

【著作】
次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
監修:岩室 憲幸( 担当： 分担執筆, 担当範囲: ダイヤモンド半導体を用いた耐高温デバイスの作製と高性能化（第１編第３章第４節）)
エヌ・ティー・エス 2022年02月 ISBN: 9784860437671

New Topics in Josephson Junctions and Superconductivity Research (chapter 5) Low-Temperature Synthesis of Superconducting MgB2 Thin Films for Electronics Applications
K. Ueda, M. Naito( 担当： 共著)
Nova Science Publisher Inc. 2007年

Studies of high temperature superconductors-Growth of superconducting MgB2 thin films
K. Ueda, M. Naito( 担当： 共著)
Nova Science Publishers Inc. 2003年

セミナー受講料

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。