レジスト・微細加工用材料の基礎とトラブル対策

セミナー趣旨

　メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィは現在先端の量産で用いられているArF液浸、ダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられはじめている。レジスト・微細加工用材料はこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。
　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎を述べ、レジスト・微細加工用材料のトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。最後に本年の3nmロジックノード以降の今後のレジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向についてまとめる。

習得できる知識

・レジスト・微細加工用材料の基礎
・リソグラフィの基礎
・レジスト・微細加工用材料のトラブル対策
・レジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向　

セミナープログラム

1．リソグラフィの基礎
　1-1．露光
　1-2．照明方法
　1-3．マスク

2．レジストの基礎
　2-1．溶解阻害型レジスト
　　（1）g線レジスト
　　（2）i線レジスト
　　（3）レジスト組成材料の詳細とキーポイント
　2-2．化学増幅型レジスト
　　（1）KrFレジスト
　　（2）ArFレジスト
　　（3）レジスト組成材料の詳細とキーポイント

3．レジスト・微細加工用材料のトラブル対策
　3-1．レジストパターン形成不良への対応
　　（1）パターン倒れ
　　（2）パターン密着性不良
　　（3）パターン形状不良
　　（4）チップ内のパターン均一性不良
　3-2．化学増幅型レジストのトラブル対策
　　（1）レジスト材料の安定性
　　（2）パターン形成時の基板からの影響
　　（3）パターン形成時の大気からの影響
　3-3．ArF液浸リソグラフィ用レジストのトラブル対策
　3-4．ダブルパターニング、マルチパターニングのトラブル対策
　　（1）リソーエッチ（LE）プロセス用材料
　　（2）セルフアラインド（SA）プロセス用材料
　3-5．EUVレジストの課題と対策
　　（1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　（2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　3-6．自己組織化（DSA）リソグラフィのトラブル対策
　　（1）グラフォエピタキシー用材料
　　（2）ケミカルエピタキシー用材料
　3-7．ナノインプリントリソグラフィのトラブル対策

4．レジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

レジスト、微細、加工、パターン、形成、液浸、リソグラフィ、トラブル、欠陥、対策

セミナー講師

大阪大学　産業科学研究所　招聘教授　工学博士　遠藤 政孝　氏

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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