ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向

セミナー趣旨

　ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔（NV）中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。
　本講演では、ダイヤモンドの魅力からダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

受講対象・レベル

・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方。
・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方。

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

・ダイヤモンドの基礎的な知識が得られる。
・ダイヤモンド半導体研究の歴史・魅力を理解できる。
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題を理解できる。

セミナープログラム

1  はじめに　
　1-1　半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
　1-2　ダイヤモンド半導体研究の歴史

2  ダイヤモンドウェハ製造技術
　2-1　成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
　2-2　不純物ドーピング技術
　2-3　スライス・カット技術
　2-4　研磨技術

3  ダイヤモンドダイオード
　3-1　ショットキーバリアダイオード
　3-2　PN接合ダイオード
　3-3　ショットキーPNダイオード(SPND)

4  ダイヤモンドトランジスタ
　4-1　MESFET
　4-2　JFET
　4-3　BJT
　4-4　MOSFET

5  その他のデバイス応用
　5-1　深紫外線発光デバイス
　5-2　電子放出デバイス
　5-3　ダイヤモンド電気化学電極
　5-4　ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ

6  まとめと今後の展開以上
 

【質疑応答】

半導体、ダイヤモンドウェハ、GaNパワーデバイス、研修、講演、セミナー

セミナー講師

金沢大学 ナノマテリアル研究所 教授 博士（工学） 徳田 規夫 氏

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
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　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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