シリコン／パワー半導体へのCMP技術の適用

★均一性の確保、選択比の条件設定、欠陥対策のトレードオフをどう設計するか？

日時

【Live配信】２０２６年７月１６日（木）　１２：３０～１６：３０ 

【アーカイブ（録画）配信】 ２０２６年７月２８日まで受付（視聴期間：７月２８日～８月７日まで）

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    セミナー趣旨

    本セミナーではこれまでCMPにおける研究開発で経験した内容や最新の技術動向についも紹介する。CMP技術を習得するには、装置構成、研磨材、ポリシングパッドなどの他に、ウェハ製造プロセスや半導体素子の製造プロセスに関する内容も理解する必要がある。ここではCMPの研磨技術のほかに、CMPがどのようにデバイスに適用されているのか、基礎的な内容について解説する。

    セミナープログラム

    １．CMP技術の概要

    　1.1　CMPの適用例 〜半導体プロセスでCMPの頻度が増えたのは何故か〜
    　1.2　CMPの除去メカニズム
    　1.3　CMP装置のコンセプト
    　1.4　洗浄プロセスの現状と課題

    ２．パワー半導体とシリコン半導体におけるCMP技術の違い

    　2.1　装置構成
    　2.2　工程管理とモニタリング手法の概念
    　2.3　スラリーについて
    　2.4　ポリシングパッドの役割

    ３．パワー半導体におけるCMP技術について

    　3.1　基板製造プロセス概要
    　3.2　基板研磨法
    　3.3　高効率研磨微粒子による研究事例

    ４．シリコン半導のCMP技術について

    　4.1　フロントエンドCMPの適用例
    　4.2　エンドポイントの考え方
    　4.3　パターン研磨における課題

    ５．半導体技術とCMPの将来展望について

    【質疑応答】

    セミナー講師

    九州工業大学　大学院情報工学研究院　知的システム工学研究系　教授　博士（材料科学）　鈴木 恵友 氏

    セミナー受講料

    1名につき 49,500円（消費税込、資料付）
    〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき44,000円〕

    主催者

    開催場所

    全国

    受講について

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    開催日時


    12:30 ～

    受講料

    49,500円（税込）/人

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    ※銀行振込

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