フォトレジスト材料/リソグラフィーの基礎と光開始剤の上手な使い方、材料評価、最新微細加工技術

各世代における化学反応機構や材料設計の手法！
実用的なフォトリソグラフィーのプロセス、周辺技術、
最新の微細加工技術について解説 (第1部)

光開始剤や添加剤を適切に用いることでフォトレジストの性能を
いかに引き出せるか、実際の製品を例に取りながら紹介 (第2部)

講師

第1部　東京応化工業(株) 新事業開発部 新事業開発技術3課　技師　先崎 尊博 氏

第2部　(株)ADEKA 情報化学品開発研究所 光素材研究室　中屋敷 哲千 氏

第3部　リソテックジャパン(株)
　取締役執行役員　アナリシスサイエンスグループ長　工学博士　関口 淳 氏

受講料

【1名の場合】43,200円(税込、テキスト費用を含む)
【2名の場合】54,000円(税込、テキスト費用を含む)
【3名以上の場合は一名につき、10,800円加算】(税込、テキスト費用を含む)

※ AndTechの講座では、同一部署に限り申込者のご紹介があれば、何名でもお1人10,800円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は10,800円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。
 
※ AndTechの講座は、特別割引とポイント割引など、2種類以上の割引は、同時には適用されません。誤って、2種類以上の割引を同時にご利用された方には、後程、事務局より割引選択のための確認連絡をいたします。

対象

フォトレジスト、リソグラフィー技術に関心・課題のある研究者、技術者など

プログラム

第1部　レジスト材料の基礎知識 【12:30-13:45】 
講師:東京応化工業(株) 新事業開発部 新事業開発技術3課　技師　先崎 尊博 氏

【ご略歴】
2004年4月 東京応化工業(株)入社　
先端材料開発三部にてパッケージング/MEMS用フォトレジストの開発に携わる
2009年4月　次世代材料開発部にて半導体用フォトレジストの開発に携わる
2012年8月～　新事業開発部に所属

【キーワード】
1. 感光性材料
2. 機能性高分子
3. フォトリソ
4. ナノテク
5. 微細加工

【講演主旨】
　電子機器の高性能化,低価格化,高信頼性化を実現させるためには微細加工技術(リソグラフィー)の進歩が必須であり、その一端を担ってきたのがフォトレジスト材料である。半導体回路の微細化に伴い露光光源の短波長化が進み、各光源に対応した新規材料設計により、ムーアの法則を達成してきた。
　本講演ではフォトリソグラフィーの基礎や歴史を踏まえ、フォトレジストを感光性機能性高分子材料ととらえ、各世代における化学反応機構や材料設計の手法について解説する。また、実用的なフォトリソグラフィーのプロセス、周辺技術について述べるとともに、最新の微細加工技術に関しても紹介をする。

【プログラム】
1.フォトレジストとは
　～フォトレジストおよび周辺技術について～

2.フォトリソグラフィープロセス
　～フォトレジストを用いた実用プロセスについて～

3.フォトレジストの材料設計と反応メカニズム
　～各露光波長に対応したフォトレジストの材料設計と反応メカニズムについて～

4.先端フォトリソグラフィー技術
　～ArF以降の先端フォトリソグラフィー技術について～

5.まとめ

【質疑応答　名刺交換】

 
第2部　光開始剤を中心としたフォトレジスト用添加剤 【13:55-15:10】 
講師:(株)ADEKA 情報化学品開発研究所 光素材研究室　中屋敷 哲千 氏

【講演キーワード】
1. 光開始剤
2.フォトレジスト
3.高感度、高輝度
4.ラジカル開始剤
5.カチオン開始剤
6.ディスプレイ
7.LED
8.長波長
9.光硬化

【講演趣旨】
　フォトレジストはフォトリソグラフィーによるパターニングを行う際に利用されている材料である。光(UV)を用いて精細なパターンを形成できることから、現状ではあらゆる電子情報機器の製造プロセスの基盤技術となっている。このフォトレジストの性能を支配する材料が光開始剤であり、フォトレジストの利用範囲の拡大やパターン精細度の向上を支えるためにこの材料の技術も様々な工夫がなされ日々改良が進んでいる。
　本講演では光開始剤や添加剤を適切に用いることでフォトレジストの性能をいかに引き出せるか、実際の製品を例に取りながら紹介する。また、フォトレジスト以外の用途展開についても提案していく。

【プログラム】　
1.光開始剤について　
　1-1　光硬化技術について
　1-2　光開始剤の種類と特徴

2.光開始剤の設計と評価　
　2-1　光開始剤に求められる特性
　2-2　光開始剤の設計と合成
　2-3　光開始剤の評価

3.ディスプレイ向けフォトレジスト用光開始剤　
　3-1　概要
　3-2　フォトレジストの感度と光開始剤
　3-3　フォトレジストのパターニング特性と光開始剤

4.UV-LED用光開始剤
　4-1　各UV-LEDに対応した光開始剤
　4-2　UV-LEDの硬化性評価

5.フォトレジスト用添加剤
　5-1　光硬化に適した酸化防止剤について
　5-2　光硬化に適したUV吸収剤について

6.まとめ　

【質疑応答　名刺交換】

 
第3部　リソグラフィにおけるフォトレジスト材料の評価方法 【15:20-16:35】
講師:リソテックジャパン(株)
　取締役執行役員　アナリシスサイエンスグループ長　工学博士　関口 淳 氏

【ご略歴】
　1983年芝浦工業大学応用化学科卒業。1983年日本ケミテック入社。分析研究所に勤務。1985年住友GCA社に入社。レジスト塗布現像装置のプロセス開発に従事。その後、レジスト解析装置および形状シミュレータのシステム開発に従事。現在、リソテックジャパン㈱専務取締役。2000年、東京電機大学にて工学博士。応用物理学会会員。電子情報通信学会会員。
 
【キーワード】
1. 化学増幅レジスト
2. フォトポリマー特性評価
3. 脱保護反応
4. 酸の拡散
5. PAGからの酸の発生挙動
6. 膨潤

【講演主旨】
　本講演では、フォトポリマーの特性評価について述べます。特に、近年半導体微細加工に重要な化学増幅レジストの材料およびプロセスにおける特性評価技術について解説します。
① 脱保護反応の評価
② 現像中のレジスト膨潤の評価
③ PAGからの酸発生挙動の評価
④ PAGからの酸の拡散挙動の評価

【プログラム】
1.リソグラフィの概要
　1-1　リソグラフィ技術とは
　1-2　リソグラフィの工程
　1-3　レジスト適用場面の分類
　1-4　レジスト液組成
　1-5　リソグラフィ光源の変遷
　1-6　化学増幅レジストの特徴

2.脱保護反応の評価
　2-1　FT-IR分光装置による解析
　2-2　装置のハードウェア
　2-3　脱保護反応のモデリング
　2-4　評価実験
　2-5　脱保護反応の新規もモデルの検討
　2-6　アーレニウスプロットと活性化エネルギーの算出

3.現像中のレジスト膨潤の評価
　3-1　アクリル系ポリマーの課題
　3-2　膨潤解析(QCM)装置の概要
　3-3　QCMの原理
　3-4　膨潤評価の実験
　3-5　TMAHとTBAHの比較評価
　3-6　パターニング評価

4.PAGからの酸発生挙動の評価
　4-1　評価装置の概要
　4-2　酸発生効率の測定実験
　4-3　測定結果の考察
　4-4　Cパラメータの比較
　4-5　クエンチャーの添加の効果
　4-6　酸発生新規モデルの検討

5.PAGからの酸の拡散挙動の評価
　5-1　酸の拡散距離の測定実験
　5-2　解析モデル
　5-3　実験結果の考察
　5-4　クエンチャーの効果
　5-5　PEB温度の影響
　5-6　拡散長の測定結果の比較
　5-7　GCIB-TOFSIMS法による測定
　5-8　シミュレーションによるLERの解析

6.まとめ

【質疑応答　名刺交換】