半導体製造における洗浄プロセスの基礎と洗浄液設計・工程別洗浄技術の最適化【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

■主題状況
★微細化・3次元化・先端実装の進展により、半導体製造における洗浄プロセスは、単なる前処理工程からデバイス性能・接合信頼性を左右する中核技術へと位置付けが変化している。特にCMP後洗浄やボンディング前洗浄では、粒子・金属・有機汚染のわずかな残留が歩留まりや接合不良に直結し、工程設計および洗浄剤選定の重要性が急速に高まっている。

■本講座の注目ポイント
★半導体3D化、接合、において欠かせない洗浄プロセスに注目し、なぜ洗浄が重要なのか、どのような課題があるのかを分かりやすく整理！
★Wafer to Wafer と Die to Wafer の違いや特徴にも触れながら、先端パッケージング技術の洗浄の基礎的な考え方を解説！
★ウェハ洗浄技術の基礎を概説した上で、CMP後洗浄を例にとって、洗浄剤の配合成分と機能の相関を説明し、さらには機能設計をする上で重要な評価・解析手段について紹介、解説！

習得できる知識

第2部
・ハイブリッドボンディングにおける「洗浄」が果たす役割と重要性
・Wafer to Wafer / Die to Wafer それぞれの接合前後で発生する洗浄課題
・接合後の薄膜化や洗浄シミュレーションなど、最新の技術開発動向

第3部
・半導体洗浄技術の基礎
・CMPおよび後洗浄技術のトレンド
・洗浄メカニズムの理解と洗浄剤の機能設計技術
・洗浄性、洗浄機能を評価する分析手法

セミナープログラム

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

【第1講】 半導体製造の洗浄技術の動向と今後に向けた新展開

【時間】 13:00-14:15

【講演主旨】

　半導体製造工程の中の平坦化プロセスであるCMPについて、平坦化=研磨工程で行われるプロセス基礎技術およびその後の洗浄工程について詳しく解説。また、今後のCMPの課題についても述べる。

【プログラム】

１．はじめに・・・2030年に向けたSEMI・CMP市場

２．半導体製造におけるCMP工程の概説

３．半導体業界の洗浄工程について

　3.1 工程数（Logic, NAND, DRAM)

４．一般洗浄とCMP後の洗浄

５．Cu洗浄と腐食

６．今後のCMP後洗浄

７．まとめ

【質疑応答】

【第2講】 半導体3D化、ハイブリッドボンディングを実現する先端半導体洗浄技術の開発動向

【講演主旨】

　半導体デバイスのさらなる微細化・高性能化に伴い、３D化やハイブリッドボンディングの導入が加速しています。本講座では接合プロセスの洗浄技術に焦点を当て、接合前後の洗浄が求められる背景や課題、最新の技術動向について解説します。

【プログラム】

１．半導体デバイスのトレンド

２．Wafer to Wafer洗浄技術

　2.1 貼り合わせ前後の課題

　2.2 貼り合わせ前後の開発動向

　2.3 貼り合わせ後のSi薄膜化

３．Die to Wafer洗浄技術

　3.1 貼り合わせ前後の課題

　3.2 貼り合わせ後の洗浄シミュレーション

４．まとめ

【質疑応答】

【キーワード】
先端半導体プロセス、ウェハ洗浄技術、Wafer to Wafer / Die to Wafer

【講演のポイント】
半導体3D化、接合、において欠かせない洗浄プロセスに注目し、なぜ洗浄が重要なのか、どのような課題があるのかを分かりやすく整理します。Wafer to Wafer と Die to Wafer の違いや特徴にも触れながら、先端パッケージング技術の洗浄の基礎的な考え方を解説します。

【第3講】 CMP後洗浄剤の機能設計と洗浄表面の評価技術

【講演主旨】

　半導体の微細化は、ALDやALEによる原子レベルの成膜・加工に加えて、EUV光源の開発、リソグラフィーへの適用により、nmレベル構造体の製造技術の結集となっています。一方で、微細欠陥低減のために高機能洗浄プロセスが必要となりますが、洗浄は経験・ノウハウに頼るところが多く、体系的に学習しにくい分野の一つです。

　本講座では、ウェハ洗浄技術の基礎を概説した上で、CMP後洗浄を例にとって、洗浄剤の配合成分と機能の相関を説明し、さらには機能設計をする上で重要な評価・解析手段について紹介、解説を考えています。

【プログラム】

１．序論

　1.1 半導体ロードマップと洗浄対象

　1.2 ウェット洗浄に求められる機能と課題

　1.3 CMP工程の概説

　1.4 CMP後洗浄と要求性能

２．CMP後洗浄剤の機能設計

　2.1 洗浄対象（金属配線、絶縁膜）

　2.2 洗浄課題（スラリ砥粒、金属系残渣、有機系残渣、各種腐食）

　2.3 洗浄メカニズム

　2.4 洗浄剤成分と配合設計

　2.5 酸性洗浄剤とアルカリ性洗浄剤の比較

　2.6 先端デバイス向けプロセスにおける特定課題

　（次世代配線金属、ハイブリッドボンディングなどの工程）

３．洗浄表面の評価技術

　3.1 製造プロセスにおけるウェハ洗浄後検査

　3.2 砥粒除去性の評価

　3.3 残渣除去性の評価

　3.4 腐食評価、表面の酸化状態の解析（XPS、ToF-SIMS、AFM、連続電気化学還元法等）

【質疑応答】

【キーワード】
ウェハ洗浄技術、CMP後洗浄、洗浄剤設計、洗浄評価・解析手法、微細欠陥制御

【講演のポイント】
化学メーカ視点にて、薬液設計の基本的な考え方、および組み入れる各成分の機能について解説します。また講演者は分光・表面分析などにバックグラウンドがありますので、ウェハ・配線上の微小欠陥や表面酸化状態の解析等についても詳細に説明します。

セミナー講師

第1部　 株式会社荏原製作所　 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課　 今井　正芳　氏
第2部　 株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ　 R&D戦略統轄部 アライアンス推進部 先端プロセス開発課　 岩畑　翔太　氏
第3部　 三菱ケミカル株式会社　 ASBG 技術戦略本部　情電技術部　半導体前工程　主席研究員　 竹下　寛　氏

セミナー受講料

●1名様　　：55,000円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）

　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません

主催者

開催場所