レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

セミナー趣旨

　レジストリソグラフィは微細加工を支える主要技術の一つであり、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS など、さまざまな電子産業分野で広く実用化されています。市場規模は年間数10兆円に達し、年々拡大傾向にあります。一方で、レジスト材料およびプロセス技術の高度化に伴い、これらの特性が製品に与える影響も一層大きくなっています。
　本セミナーは、レジスト材料の開発者、レジスト処理装置の技術者、レジストユーザー、これからレジスト技術に携わる方、そしてリソグラフィ工程でトラブルを抱えている方々を対象とします。構成は「入門編」「実践編」「実務編」で、段階的に理解を深めていただけます。入門編では、レジスト技術の基礎と産業化の現状を、実例を交えて解説します。実践編では、製造ラインや開発設備におけるレジスト材料や露光技術の最適化について解説します。実務編では、実際の製造ラインにおけるパターン欠陥などの歩留まり対策について説明します。
　また、本セミナーでは、フォトレジスト材料の特性、プロセス最適化の方法、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルへの対応策に焦点を当て、評価・解決のアプローチを丁寧に解説します。さらに、レジスト形状・寸法制御、処理条件の設定方法、研究開発やトラブル対応など、実務での具体的な進め方についても、豊富な実例を交えて紹介します。加えて、レジストユーザーの視点とは何かについても、講師の実績を踏まえて詳しくご説明します。受講者の皆さまが日々直面しているトラブルやノウハウに関するご相談にも、個別に対応いたします。

受講対象・レベル

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者、および、レジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品・開発を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、広範囲の方を対象としています。

習得できる知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、ユーザー側での評価手法などが習得できます。

セミナープログラム

【入門編】レジストリソグラフィーの基礎
１．レジスト概要（産業上の実用例）
　　・実用化トレンド（分類、ノード、アスペクト比）
　　・ウェットエッチング用レジスト（アンダーカット）
　　・ドライエッチング用レジスト（選択比、プラズマ耐性）
　　・イオン注入用レジスト（注入イオン分布、残留イオン汚染）
　　・めっき用レジスト（ドライフィルム、金属配線形成）
　　・ソルダーレジスト（プリント基板）
　　・構造用レジスト（MEMS、光造形）
　　・厚膜用レジスト（段差平坦化、Orchardの式、多層レジストプロセス）
　　・カラーレジスト（ディスプレイ、顔料相分離）
２．パターン形成の基礎
　2-1　ジスト材料と処理プロセス
　　・プロセスフロー（CAD設計、シフト量、ラインマッチング）
　　・レジストの光化学反応（ポジ、ネガ、化学増幅型、EUV、TMAH溶解）
　　・ポジ型／ネガ型の選択基準（ピンホール転写欠陥）
　2-2　パターン露光描画
　　・露光システム（回折光、ステッパー、スキャナー、液浸、EUV）
　　・レイリーの式（解像力、焦点深度）
　　・重ね合わせ技術（TTL、アライメントマーク）
　2-3　レジスト処理装置
　　・HMDS処理（シランカップリング、vapor処理、剥離防止）
　　・コーティング（スピン、膜厚分布、乱流、スプレー、スキャン塗布、ラミネート）
　　・現像（ディップ、パドル、スプレー）
　　・乾燥（ホットプレート、プロキシミティー、減圧、真空）
　　・レジスト除去（アッシング、剥離液、IPA乾燥、物理除去）
【実践編】レジスト技術の最適化（これだけは習得しておきたい）
３． レジスト寸法と形状の最適化
　3-1　コントラスト制御
　　・光学像コントラスト（光回折劣化）
　　・残膜曲線（感度、γ値、最適露光時間）
　　・溶解コントラスト（レジスト垂直性）
　　・現像コントラスト（現像液濃度の最適化）
　3-2　寸法と形状コントロール
　　・CD寸法制御１（露光量／フォーカス依存性、process window）
　　・CD寸法制御２（寸法リニアリティー、バルク効果、膜内多重反射）
　　・パターン断面改善（段差部変動）
　　・耐エッチングコントラスト（選択比、ローディング効果）
　3-3　改善プロセス技術
　　・反射防止膜（TARC,BARC）
　　・プロセス制御（PEB、LENOS）
　　・マルチパターニング技術（LELE、非解像補助パターンSRAF）
　　・直接描画技術（マスクレス、インクジェット）
　　・位相シフト技術、ペリクル技術（高解像化とマスク欠陥対策）
【実務編】レジスト技術の実務と歩留まり対策
４．レジスト欠陥・トラブル対策（歩留り向上の最優先対策とは）
　4-1　致命欠陥とは
　　・欠陥と歩留まり（ウェットプロセスの貢献）
　　・配線上異物（致命／非致命欠陥、ショート／オープン欠陥、バブル欠陥）
　　・塗布ミスト（エッジ盛上り、EBRエッジバックリンス）
　4-2　レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
　　・接着促進要因と剥離促進要因（バランスモデル、破断面解析）
　　・ドライ／ウェット中での付着エネルギー解析
　　（表面エネルギー、分散・極性成分マップ、付着／浸漬／拡張モデル）
　　・応力歪み、膨潤（応力集中、膜内浸透）
　　・検査用パターン（サイズ、形状依存性）
　　・パターン直接剥離解析（DPAT法）
　4-3 レジスト欠陥と対策
　　・ストリーエーション（スジ状膜厚むら）
　　・膜分裂（超薄膜化と自己組織化）
　　・乾燥むら（乾燥対流とベナールセル、光多重干渉）
　　・白化（ソルダーレジスト、ソルベントクラック）
　　・ピンホール、はじき（拡張濡れ対策）
　　・膨れ（ブリスター）
　　・パターン変形（軟化、熱だれ）
　　・現像バブル対策（界面活性剤）
５．参考資料
　　・塗膜トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
　　・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法（測定方法）
６．質疑応答
　　（日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます）

キーワード：
材料,プロセス,露光,寸法,形状,パターン,剥離,オンライン,WEBセミナー

セミナー講師

アドヒージョン（株）　代表取締役社長　博士（工学）　河合 晃　氏
http://www.adhesion.co.jp
国立大学法人　長岡技術科学大学　名誉教授
【略歴】
三菱電機（株）ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な微細加工、レジスト開発、コーティングおよび表面処理技術開発に従事した。その後、長岡技術科学大学にて勤務し、レジスト技術、エッチング技術、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の研究を実施している。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。現在、長岡技術科学大学　名誉教授、ならびに、技術コンサルティング会社として、アドヒージョン（株）代表取締役社長を務める。産学連携・技術コンサルティング実績350件以上。
【活動】
著書40件、原著論文166報、国際学会124件、国内学会212件、特許多数、受賞多数、講演会290回以上、日本接着学会評議員、応用物理学会会員

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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