SiC単結晶の製造・評価とSiCウェハの切断・研磨・CMP加工技術

セミナー趣旨

SiCパワー半導体は省エネを実現する電力制御機器として社会実装が進みつつある。SiCウェハは6インチから8インチへ大口径化も進み、今後量産が世界的に加速されると考えられている。一方、SiCは極めて安定な高硬脆材料であるため、SiC単結晶の合成やウェハ加工は技術的に難易度が高く、高コストになりがちである。本講演ではSiC単結晶成長・ウェハ加工技術の技術の基礎から応用を解説し、現在の技術開発動向と課題解決に向けた議論を進める。

習得できる知識

半導体用SiCウェハ製造技術の基礎知識（結晶成長、加工、評価）
半導体用SiCウェハの開発動向
SiCウェハ製造技術の技術課題とアプローチ
SiCウェハ産業の動向に関する知識

セミナープログラム

１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発

　1.1 SiCの基礎と物性
　　1.1.1 身近なSiC
　　1.1.2 ワイドギャップ半導体と特徴
　　1.1.3 SiCウェハ
　　1.1.4 他半導体材料とSiCの違い

　1.2 SiCパワー半導体への応用
　　1.2.1 SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
　　1.2.2 SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例

　1.3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
　　1.3.1 パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　　1.3.2 国内・外でのSiCウェハ開発動向
　　1.3.3 SiCウェハ開発に対する今後の期待

２．SiC単結晶製造技術

　2.1 SiC単結晶の合成・成長方法
　　2.1.1 SiCの合成
　　2.1.2 SiC単結晶の量産技術
　　2.1.3 各種SiC単結晶成長技術の特徴
　　2.1.4 シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待

　2.2 結晶多形と特徴
　　2.2.1 SiCの結晶多形 (ポリタイプ) と物性
　　2.2.2 多形制御技術

　2.3 結晶欠陥と制御
　　2.3.1 SiC単結晶の結晶欠陥と影
　　2.3.2 SiC単結晶の欠陥評価技術
　　2.3.3 SiC単結晶の欠陥抑制技術

　2.4 大口径結晶の成長
　　2.4.1 SiC単結晶の口径拡大成長技術
　　2.4.2 大口径化がもたらす効果と技術課題

　2.5 n/p型の伝導度制御
　　2.5.1 SiC単結晶の伝導度制御
　　2.5.2 SiC単結晶の低抵抗化技術

３．SiCウェハ加工技術

　3.1 SiCのウェハ加工

　3.2 SiCウェハ加工工程と技術課題

　3.3 ウェハ切断工程

　　3.3.1 SiC単結晶の切断技術
　　3.3.2 切断工程の高速化技術
　　3.3.3 切断工程の課題と新しい切断技術

　3.4ウェハ研削工程
　　3.4.1 SiCウェハの研削加工
　　3.4.2 研削加工の高速・鏡面化技術
　　3.4.3 研削工程の課題と新しい研削加工技術

　3.5 ウェハ研磨工程
　　3.5.1 SiCウェハの研磨加工
　　3.5.2 研磨加工と研削加工の特徴や違い
　　3.5.3 研磨工程の課題と新しい研磨加工技術

　3.6 CMP工程
　　3.6.1 SiCウェハのCMP加工
　　3.6.2 CMPの高速化技術
　　3.6.3 CMP工程の課題と新しいCMP加工技術

　3.7 加工変質層と評価
　　3.7.1 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　　3.7.2 加工変質層の評価技術
　　3.7.3 加工変質層の抑制技術

　3.8 大口径化対応
　　3.8.1 SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　　3.8.2 大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

セミナー講師

国立研究開発法人　産業技術総合研究所　 先進パワーエレクトロニクス研究センター　 加藤　智久　氏

セミナー受講料

●1名様　　：49,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません