パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

セミナー趣旨

受講対象・レベル

SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方

習得できる知識

SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識とその評価手法を理解することができる

セミナープログラム

はじめに
　1．SiCパワーデバイスと高品質SiC結晶基板の重要性
　2．SiC基板の社会実装の進展と今後の課題
　3．SiC基板の供給状況と技術的課題

SiCの基礎
　4．SiCの結晶構造と多形
　5．六方晶の結晶方位（四指数法）
　6．結晶多形（Polytype）の解説
　7．Si面とC面

SiC結晶の成長法
　8．昇華法
　9．CVD法
　10．溶液法
　11．各成長法の利点・課題と欠陥発生メカニズム

結晶欠陥の基礎
　12．結晶欠陥の種類（0次元から3次元）
　13．SiC特有の結晶欠陥の基礎（マイクロパイプ・転位・積層欠陥）
　14．結晶欠陥の観察例と観察法
　15．結晶欠陥がデバイス性能に与える影響

結晶欠陥の評価技術
　16．X線トポグラフィ法
　17．フォトルミネッセンス法
　18．偏光顕微鏡法
　19．KOHエッチング法
　20．透過電子顕微鏡法
　21．評価手法ごとの特徴・適用範囲の整理

マルチモーダル解析
　22．結晶欠陥のマルチモーダル解析
　23．欠陥自動検出アルゴリズム（画像処理・機械学習活用）

結晶欠陥制御技術の実例と応用
　24．結晶成長過程における欠陥低減技術（RAF法、溶液法など）
　25．基底面転位（BPD）とバイポーラ劣化のメカニズムおよび抑制技術（CVD法含む）
　26．低抵抗SiC基板における積層欠陥形成と制御

まとめと質疑応答
　27．まとめ
　28．質疑応答

セミナー講師

セミナー受講料

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) 

2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の24,750円)

1名申込みの場合：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円 )
　定価：本体36,000円＋税3,600円
　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,4400円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みの際、備考欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】と記載ください。
※他の割引は併用できません。

受講について

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配布資料

• 製本資料（開催日の4、5日前に発送予定)）
  ※ライブ配信受講で開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、
  　到着が間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。