次世代パワーデバイスの開発・市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術

セミナー趣旨

2025年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

受講対象・レベル

パワー半導体デバイス，ならびにパワーエレクトロニクス関連装置の業務に携わっている方。パワー半導体デバイスの今後の動向に興味を持たれている方

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
　1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1.2 パワー半導体の種類と基本構造
　1.3 パワーデバイスの適用分野
　1.4 最近のトピックスから
　1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
　1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1.7 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　1.8 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2.2 MOSFET特性改善を支える技術
　2.3 IGBT特性改善を支える技術
　2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
　2.5 IGBT特性改善の次の一手
　2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
　2.7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
　3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
　4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4.2 GaNデバイスの構造
　4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4.5 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
　4.6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
　4.7 縦型GaNデバイスの最新動向

5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　5.1 酸化ガリウムの特徴は何
　5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

6.SiCパワーデバイス実装技術の進展
　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6.2 銀または銅焼結接合技術
　6.3 SiC-MOSFETモジュール技術

【質疑応答】

セミナー講師

筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士(工学)　岩室 憲幸 氏

セミナー受講料

  1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

受講について

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