フォトレジスト材料の基礎と課題（化学増幅型レジストからメタルレジストまで）

セミナー趣旨

昨今、私たちは新たなデジタル社会に直面、半導体の重要性が以前にも増して重要となっており、毎日のように半導体という言葉を耳にする。IOT、AI、Society5.0等の発展のため、デバイスの高速化、大容量化、省電力化が不可欠で、そのための配線微細化は必須である。それを支えるリソグラフィ微細化には、フォトレジスト材料が鍵技術であり、究極の微細化として期待されたEUVリソグラフィは、35年の時を経てついに2019年に実用化された。
　地政学的観点からも半導体は日本にとって重要なピースとなり政府の半導体への取り組みも前のめりである。簡単に日本の半導体産業への取り組み（RapidusやLSTC等）について解説したのち、レジストの基礎から現在に至る課題まで時間の許す限り解説する。
　フォトレジスト開発に関わる若手技術者から入門者、さらには材料に詳しくない方々に向けて分かりやすく解説する。

受講対象・レベル

・フォトレジスト材料開発・原材料開発に携わる若手を中心とした技術者。
・技術者ではないが半導体材料に興味のある方（特に前半）。

必要な予備知識

特に予備知識は不要です。

習得できる知識

・フォトレジスト材料の基礎が理解できる。
・最近の日本の半導体関連の騒動？も簡単に分かりやすく解説するので状況が理解できる。
・後半は、限界説のささやかれる化学増幅型レジストと、
　最近話題のメタルレジストに関し分かりやすく解説するので、概況が理解できる。
　もちろん最新の開発動向も。

セミナープログラム

１． 私たちの世の中を取り巻く環境の変化
　　 昨今話題の日本の半導体産業。RapidusやLSTCって？

２． リソグラフィ微細化の歴史
　　　2-1. リソグラフィ？フォトレジスト？どこに使われてる？
　　　2-2. ムーアの法則とそれを実現するリソグラフィ微細化の歴史
　　　2-3. フォトレジストのケミストリーと要求性能
　　　2-4. KrFからArF、そしてArF液浸。何が難しかったのか？
　　　2-5. 富士フイルムによるネガ現像技術（NTD）の発明

３． EUVリソグラフィ
　　　3-1. EUVリソグラフィの歴史
　　　3-2. 最初に立ちはだかった大きな課題、アウトガス問題
　　　3-3. EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子に関して
　　　3-4. フォトンストカスティックとケミカルストカスティック/解決手段例
　　　3-5. 限界といわれる化学増幅型レジストとメタルレジスト　

【質疑応答】

キーワード：
フォトレジスト,リソグラフィ,微細化,EUV,ArF,NTD,WEB,セミナー,講演,研修

セミナー講師

富士フイルム株式会社
エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート
藤森 亨 氏

【ご専門】
有機合成化学、有機化学、リソグラフィ

理工学修士（埼玉大学　博士前期課程）
JJAP論文審査官

MNC (International Microprocesses and Nanotechnology Conference),
Program committee, Patterning Materials Section Head
各種学会での招待講演

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
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