各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題

★Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの　　　　　　　　　　　　　開発動向や課題まで分かりやすく解説します！※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。【アーカイブ配信：4/20～4/26】での受講もお選びいただけます。

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本 秀和　氏　兼　パワーデバイスイネーブリング協会　理事　兼　FTB研究所　特別顧問　兼　千葉工業大学　非常勤講師、共同研究員＜ご専門＞　半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス＜学協会＞　パワーデバイスイネーブリング協会＜ご略歴＞　1984年3月　北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士）　1984年4月　三菱電機(株)入社（2010年3月退社）　2010年4月　千葉工業大学 教授（2022年3月退職）　2015年6月　パワーデバイスイネーブリング協会 理事　2022年4月　FTB研究所　特別顧問　2022年4月　千葉工業大学　非常勤講師　2022年8月　グリーンパワー山本研究所　所長　2022年8月　千葉工業大学　付属研究所　共同研究員

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。ライブ配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合は、会員価格で1名につき49,500円（税込）、2名同時申込で55,000円（税込）になります。お申し込みフォームのコメント欄に「ライブとアーカイブ両方視聴」とご記入下さい。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにPDFにてお送りいたします。
• アーカイブの場合は、配信開始日以降に、セミナー資料と動画のURLをメールでお送りします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状主にSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイスの性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。ワイドギャップ半導体パワーデバイスの量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本は、ここでも海外メーカに後れを取っています。　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。　

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者　

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向・パワーデバイスによる電力変換と高性能化・パワーチップおよびパワーモジュールの構造・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット・Siパワーデバイスの優位性と課題・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題・日本の電子デバイス産業における失敗事例・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位　

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向　1-1．パワーエレクトロニクスへの期待　1-2．パワーデバイスの適用分野　1-3．パワーデバイスによる電力変換　1-4．パワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造　2-1．パワーチップの構造　2-2．パワーモジュールの構造　2-3．パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発　3-1．Siパワーデバイスの技術開発　3-2．SiCパワーデバイスの技術開発　3-3．GaNパワーデバイスの技術開発　3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4．電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望　4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史　4-2．世界のパワーデバイスの状況　4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

キーワード：半導体,パワー,デバイス,モジュール,チップ,ワイドギャップ,SiC,GaN