半導体メモリ技術の基礎と各種動向～デバイス動作原理・構造・製造プロセスフロー、技術課題および市場動向～＜Zoomによるオンラインセミナー：見逃し視聴有＞

セミナー趣旨

　コンピューティング技術や情報通信技術の発展に伴い、派生するデータ量は増大の一途であり、半導体メモリデバイスの重要性は益々高まっています。一方、半導体メモリの製造技術を牽引してきた従来のスケーリング（微細化）は、製造プロセス、デバイス特性あるいはコストの面から極めて難しくなってきました。
　これを打破するため、新技術・新材料の導入によってこれまでのスケーリングトレンドを延命する、あるいは新たなスキームに切り替えることによって更なる進展を図る等、精力的な開発が続いています。
　本講義では、各種半導体メモリデバイスの構造・特徴・製造プロセスフロー等の基本事項、最新の国際学会に見る研究開発動向・技術課題および市場動向などを、多面的かつ平易に解説していきます。

受講対象・レベル

　・半導体メモリデバイス基本知識の習得を目指す方
　・学会などにおける半導体メモリ技術のトレンドを知りたい方

習得できる知識

　半導体メモリデバイスの基礎知識、製造方法、最新技術トレンド、将来の技術課題など

セミナープログラム

1.はじめに ～メモリとは何か？～
　1) メモリの役割
　2) 半導体メモリのあゆみとスケーリング

2.半導体メモリの基礎知識と技術・市場動向
　1）様々なメモリと位置付け
　　a) 揮発性と不揮発性
　　b) メモリの種類
　　c) コンピューティングとメモリとの関係
　2) DRAM
　　a) 動作原理と特徴/構造及び材料・デバイス技術
　　b) 製造プロセスフロー例
　　c) スケーリングの追求と3D化への模索
　　d) 学会動向に見る今後のトレンドと技術課題
　　e) 市場動向
　3) NANDフラッシュ
　　a) 動作原理と特徴/構造及び材料・デバイス技術
　　b) スケーリングの限界と3D構造への転換
　　c) 製造プロセスフロー例
　　d) 学会動向に見る今後のトレンドと技術課題
　　e) 市場動向
　4) NORフラッシュ・ロジック混載フラッシュ
　　a) 動作原理と特徴・構造及び材料・デバイス技術
　　b) スケーリングのあゆみ
　　c) 製造プロセスフロー例
　　d) 学会動向に見る今後のトレンドと技術課題
　　e) 市場動向
　5) その他の半導体メモリと最新動向
　　a) MRAM（磁気抵抗メモリ）
　　b) PCM（相変化メモリ）
　　c) FeRAM（強誘電体メモリ）
　　d) ReRAM（抵抗変化メモリ）
　　e) 市場動向と各デバイス技術の将来性

3. おわりに～さらなる飛躍へ～
　1) 本日のまとめ
　　a) DRAM：迫るスケーリング限界と今後の方向性・ブレイクスルー技術
　　b) NAND：新材料／新プロセスの動きと積層数増加トレンドの行方
　　c) 次世代メモリ：ロジック混載技術とその見通し
　　など
　2) 増えるデータ量とそれを支えるメモリ技術

4. 質疑応答

セミナー講師

（株）日立ハイテク ナノテクノロジソリューション事業統括本部 プロセスシステム製品本部 プロセス東京技術センタ 統括主任技師 　松崎 望 先生

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
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