半導体洗浄の基礎とCMP後洗浄の技術トレンド

セミナー趣旨

　近年、半導体の微細化は、原子レベルの成膜・加工に加えて、EUV光源の半導体リソグラフィーへの適用により、nmレベルの加工をターゲットとして進められている。配線プロセスを例にとると、More Mooreの流れではCo、Ruのような腐食しやすいあるいは研磨しにくい材料が、またMore than Mooreの流れではウエハーの直接接合技術が導入され、CMPプロセスに対して新たなチャレンジをもたらしている。一方で、全ての配線層において高機能洗浄プロセスの確立が極めて重要となり、従来の経験と勘ではなく物理・化学の原理・原則に基づいた界面制御を行うための洗浄技術の適用が求められている。
　本講座の前半では、半導体のウェット洗浄技術について基礎から概説するとともに、CMPおよび後洗浄プロセスのトレンドなど応用用途について俯瞰する。また後半では、CMPの後洗浄技術に焦点をあて、洗浄剤成分・配合などの観点から、さらには機能設計をする上で重要な評価・解析手段について紹介する。

受講対象・レベル

・半導体チップメーカーや半導体装置メーカー、材料材料のサプライヤでウェットまたはCMP関連の業務に携わる初学者の方、中堅で知識を整理したい方。特にウエハーの洗浄工程や基板の表面分析に興味のある方。あるいは当該分野で幅広い知識を得たい営業担当の方など。

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

・半導体及び装置メーカー、材料サプライヤでウェットケミカルまたはCMP関連業務に携わる初学者の方
・中堅で知識を整理したい方。特に洗浄工程や表面分析に興味のある方
・当該分野で幅広い知識を得たい営業担当の方など

セミナープログラム

１．半導体洗浄の基礎
　1-1 技術変革とクリーン化要求
　1-2 分子のイオン解離
　1-3 洗浄に求められる機能と課題

２．ウエハー表面汚染の除去
　2-1 異物（パーティクル）除去
　2-2 有機物除去
　2-3 金属（メタル）除去
　2-4 金属の電気化学的付着及びその抑制

３．post CMP 洗浄技術
　3-1 CMPプロセスの概要
　3-2 post CMP 洗浄プロセス
　3-3 post CMP 洗浄の技術動向

４．post CMP 洗浄剤の機能設計
　4-1 洗浄剤のターゲット汚染と要求性能
　4-2 洗浄における課題
　4-3 洗浄の作用機構
　4-4 洗浄剤のケミカル材料と配合設計
　4-5 酸性／アルカリ性による洗浄剤の機能設計

５．基板の表面／界面評価技術
　5-1 post CMP洗浄の性能評価
　5-2 パーティクル除去性評価
　5-3 有機残渣評価
　　(a) 残渣溶解試験
　　(b) 水晶振動子マイクロバランス（QCM）による溶解性評価
　　(c) Open circuit potential (OCP) による吸着・脱離挙動解析
　　(d) ToF-SIMSによる表面残渣解析
　5-4 基板表面の配線腐食、表面酸化状態解析
　　(a) XPSによる金属酸化状態の解析
　　(b) 電気化学的還元分析
　　(c) AFM/KFMによる局所構造解析
　　(d) Tafel PlotによるGalvanic腐食評価

6　まとめ

※8/22　プログラム更新

キーワード：
半導体洗浄,CMP,ウエハー,ウェット洗浄,洗浄剤,セミナー,講演 

セミナー講師

三菱ケミカル（株）
インフォメーション＆エレクトロニクス本部　グローバル戦略部
グループ長　博士（工学）河瀬　康弘　氏

【ご専門】
　半導体関連の材料開発（有機・無機・ポリマー）

【ご経歴】
　東北大学大学院工学研究科電子工学修了（工学博士）
　三菱化成に入社後、半導体用フォトレジスト開発、ウエットケミカルの開発、複合材料の開発を担当、現在は本社で次世代半導体材料の戦略・企画に従事

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
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　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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