ALD (原子層堆積法) の基礎と高品質膜化および最新動向

セミナー趣旨

  Atomic Layer Deposition (ALD、原子層堆積法) による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition (CVD、気相薄膜形成法) と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
  このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

受講対象・レベル

・CVD/ALDに関連する技術者

習得できる知識

・CVD/ALD法の基礎
・CVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
・CVD/ALD薄膜形成プロセスの解析能力

セミナープログラム

第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
　1.1 薄膜の種類と用途
　1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
　1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
　1.4 PVDとCVD、ALD
２．真空の基礎知識
　2.1 真空度とは
　2.2 平均自由行程とクヌッセン数
　2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
　3.1 真空蒸着の基礎
　3.2 スパッタリング
第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
　4.1 CVDプロセスの素過程
　4.2 CVDプロセスの速度論
　　4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
　　4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
　4.3 CVDプロセスの均一性
５．表面・気相の反応機構解析入門
　5.1 素反応機構と総括反応機構
　5.2 気相反応の第一原理計算と精度
　5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
　6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
　6.2 ALDプロセスの理想と現実
　　6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
　　6.2.2 ALDプロセスの均一性
　　6.2.3 ALDプロセスの量産性
７．ALDプロセスの応用と展開
　7.1 ALDプロセスの応用用途
　7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
　　7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
　　7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
　7.3 新しいALD技術
　　7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
　　7.3.2 Spatial ALD
　7.4 ALD国際会議について

ALD、原子層堆積法、Atomic Layer Deposition、WEB、オンライン

セミナー講師

霜垣 幸浩 先生   東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授　

■ご専門
反応工学・材料工学
■主なご研究内容
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発
■ご活動
・1984年から現在に至るまで、CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より、化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として、CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
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　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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受講について

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