【中止】パワーデバイスセミナー：電気自動車シフトではずみのついたパワーデバイス・パッケージ開発の最新技術～シリコン(Si)およびSiC/GaNデバイスと実装の最新技術～

セミナー趣旨

  2022年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

受講対象・レベル

・パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当
・パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

必要な予備知識

教養程度の工学の知識があれば十分です。

習得できる知識

・パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。
・パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。
・SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？
   1-1　パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　1-2　パワー半導体の種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
　1-5　シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　1-6　パワーデバイス開発のポイントは何か？
２．最新シリコンMOSFET, IGBTの進展と課題
   2-1　パワーデバイス市場の現在と将来
　2-2　パワーデバイス開発のポイント
　2-3　最新MOSFET、IGBTを支える技術
　2-4　IGBT 薄ウェハ化の限界
　2-5　IGBT特性改善の次の一手
　2-6　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
　2-7　シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
   3-1　半導体デバイス材料の変遷
　3-2　なぜSiCパワーデバイスなのか
　3-3　SiCのSiに対する利点
　3-4　各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
　3-5　SiCウェハができるまで
　3-6　SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　3-7　SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき課題
　3-8　SiC-MOSFET最近のトピックス
　3-9　SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
　3-10　SiCデバイス信頼性向上のポイント
　3-11   SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3-12   ショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵SiC-MOSFET
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
   4-1　なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4-2　GaNデバイスの構造
　4-3　SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4-4　GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4-5　ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4-6　GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-7　GaN-HEMTの課題
　4-8　GaNパワーデバイスの弱点はなにか
　4-9　縦型GaNデバイスの最新動向
　4-10　縦型SiCデバイス　対　縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに？
５．酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
   5-1　酸化ガリウムとその特徴
　5-2　酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
　5-3　ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
６．SiCパワーデバイス高温対応実装技術
   6-1　高温動作ができると何がいいのか
　6-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　6-3　パワーモジュール動作中の素子破壊例
　6-4　SiCモジュールに必要な実装技術
７．まとめ

セミナー講師

 岩室 憲幸 先生   国立大学法人 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士（工学）

■講師略歴
1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、
ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
■専門
シリコン、SiCパワー半導体設計技術
■本テーマ関連学協会での活動
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会 元委員長
電気学会 上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム（ＩSPSD） 2017、2021 Steering Committee Member.
2020年4月 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞
2020年12月 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞を受賞

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

配布資料・講師への質問等について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）。
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
  （全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
• 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、
  無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

下記ご確認の上、お申込み下さい

• PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております（20Mbps以上の回線をご用意下さい）。
  各ご利用ツール別の動作確認の上、お申し込み下さい。
• 開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。

Zoomを使用したオンラインセミナーとなります

• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
  お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
  → 確認はこちら
  ※Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
• Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
  ※一部のブラウザは音声（音声参加ができない）が聞こえない場合があります。
  　必ずテストサイトからチェック下さい。
  　対応ブラウザーについて(公式) ;
  　「コンピューターのオーディオに参加」に対応してないものは音声が聞こえません。

申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です

• 開催5営業日以内に録画動画の配信を行います（一部、編集加工します）。
• 視聴可能期間は配信開始から1週間です。
  セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
  尚、閲覧用のURLはメールにてご連絡致します。
  ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
  （見逃し視聴有り）の方の受講料は（見逃し視聴無し）の受講料に準じますので、ご了承下さい。
  →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」