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最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで
パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!
セミナー趣旨
そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
習得できる知識
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。
Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。
シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。
SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
セミナープログラム
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 最近のトピックスから
1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-7 パワーデバイス開発のポイント
2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 IGBT開発のポイント
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2-7 シリコンIGBTの実装技術
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-3 なぜSiCパワーデバイスなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3-6 SiC-SBDそしてハイブリッドIGBTモジュールの拡販
3-7 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-8 次世代パワー半導体向け半導体製造装置の紹介
3-9 SiC-MOSFETの進展
3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
3-12 内蔵ダイオード信頼性向上技術
3-13 ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET
3-14 超低オン抵抗SiC トレンチMOSFETの試作
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
4-5ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
4-6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?
5.SiCパワーデバイス高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
5-4 SiCモジュールに必要な実装技術
6.まとめ
□質疑応答□
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
セミナー受講料
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49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
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※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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