自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで

パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!

セミナー趣旨

 2022年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。
 そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
 しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。
Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。
シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。
SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワー半導体の種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 最近のトピックスから
 1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
 1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1-7 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2-2 IGBT開発のポイント
 2-3 IGBT特性改善を支える技術
 2-4 薄ウェハ化の限界
 2-5 IGBT特性改善の次の一手
 2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
 2-7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 なぜSiCパワーデバイスなのか
 3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
 3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
 3-6 SiC-SBDそしてハイブリッドIGBTモジュールの拡販
 3-7 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
 3-8 次世代パワー半導体向け半導体製造装置の紹介
 3-9 SiC-MOSFETの進展
 3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3-12 内蔵ダイオード信頼性向上技術
 3-13 ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET
 3-14 超低オン抵抗SiC トレンチMOSFETの試作

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイスの構造
 4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
 4-5ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
 4-6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-7 GaN-HEMTの課題
 4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?

5.SiCパワーデバイス高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
 5-4 SiCモジュールに必要な実装技術

6.まとめ

□質疑応答□

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏

セミナー受講料

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1名申込みの場合:39,600円 ( E-Mail案内登録価格 37,620円 )
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配布資料

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  • 視聴期間:9/23~9/29まで

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開催日時


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49,500円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

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全国

主催者

キーワード

電子デバイス・部品   自動車技術   半導体技術

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