
パワーエレクトロニクスの基礎とインバータ・コンバータおよび周辺技術
インバータ/整流器/チョッパ回路など、電力変換技術・制御技術、周辺技術を学ぶ!
小型化、高効率化のキーテクノロジー:SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスへ!
さらにSiC/GaNパワーデバイスへ!
セミナー趣旨
この講座では、このような方を対象に、パワーエレクトロニクス技術のうち、インバータ・整流器・チョッパ回路を初めとする電力変換技術・制御技術、また周辺技術を学びます。また、小型化、高効率化の鍵として最近注目されている最新パワーデバイスSiCやGaNの応用など、現在研究・開発レベルにある技術に関する情報なども含めて、幅広く解説します。
習得できる知識
パワーエレクトロニクスの基礎、電力変換器の回路方式と制御方式、次世代パワーデバイスの使い方、電力変換器の実装方式、コンデンサ、インダクタなどの受動部品の選定法、ゲートドライブなど周辺回路技術、高効率化手法、アプリケーション
セミナープログラム
1.1 パワーエレクトロニクスとは?―スイッチングによる電力変換―
1.2 電力工学おさらい(交流理論・変圧器・電動機の基礎)
1.3 パワー半導体デバイスの基礎(ダイオード、MOSFET、IGBT)
1.4 電力変換のための基本回路
2.PWMインバータ
2.1 ハーフブリッジインバータ
2.2 フルブリッジインバータ
2.3 三相インバータ
2.4 モータ駆動向けのインバータの制御
2.5 系統連系向けのインバータ・コンバータの制御
3.DC/DCコンバータ
3.1 非絶縁DCチョッパ(昇圧・降圧・昇降圧)
3.2 絶縁DC/DCコンバータ(フライバック・フォワードコンバータ・双方向絶縁DC/DCコンバータ)
3.3 PFC(正弦波)コンバータ
4.周辺・要素技術
4.1 インダクタ・高周波トランス・コンデンサ・ノイズフィルタ
4.2 ゲートドライブ回路
4.3 電流センサー
4.4 デジタル制御技術
5.スイッチング素子の最前線 SiCとGaN
5.1 SiC-MOSFETの特徴・使い方、応用事例
5.2 GaNパワーデバイスの種類と特徴、研究開発事例
6.まとめ
□質疑応答□
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 准教授 磯部 高範 氏
セミナー受講料
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49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
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2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
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1名申込みの場合:39,600円 ( E-Mail案内登録価格 37,620円 )
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※他の割引は併用できません。
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受講料
49,500円(税込)/人