ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング（ALE）の最新技術動向

セミナー趣旨

　本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

習得できる知識

セミナープログラム

1. 背景
2. プラズマ科学の基礎
3. 代表的なプラズマプロセス装置
4. 反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
   1. プラズマ表面相互作用
   2. 表面帯電効果
   3. シリコン系材料エッチング反応機構
   4. 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
   5. 高アスペクト比（HAR)エッチング概要
5. プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として
6. ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
   1. 熱ALD
   2. プラズマ支援(PA-)ALD
7. ALEプロセスの概要と最新技術動向
   1. PA-ALE
   2. 熱ALE：リガンド交換
   3. 熱ALE：金属錯体形成
8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX)
   1. プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
   2. 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
   3. マテリアルズ・インフォマティクス
   4. プロセス開発における機械学習（ML)・AIの活用
9. まとめ

□質疑応答□

セミナー講師

大阪大学 大学院工学研究科 教授　浜口 智志　氏

セミナー受講料

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