半導体技術者のためのプラズマの基礎 ～プラズマCVDの基礎と応用～

セミナー趣旨

  最近、日本における半導体関連産業の活況を示すニュースが続いています。プラズマは、半導体デバイスプロセスの前工程の多くを占める重要技術です。特にプラズマ化学気相堆積（CVD）法は、半導体薄膜堆積に必須の技術です。プラズマ中で材料分子の電子衝突衝突によりラジカルが発生します。気相中から基板へと輸送し、表面における反応により薄膜が堆積しますが、そのプロセスは複雑です。本セミナーでは、半導体関連企業や研究機関において、プラズマCVDを取り扱うこととなった研究者を対象に、プラズマCVDの基礎からその応用、研究開発にあたって検討すべき点などを解説します。

受講対象・レベル

半導体デバイスメーカーや半導体プロセス関連メーカーの方で、プラズマプロセス業務に携わる担当者の方。

習得できる知識

反応性プラズマにおける基礎、シランプラズマにおける気相・表面反応、プラズマ中のナノ粒子の成長と抑制法、
ナノ粒子と膜質の関係、カーボン薄膜の堆積

セミナープログラム

1. プラズマの基礎事項
　　1）熱平衡
　　2）粒子に作用する力
　　3）プラズマの誘電率・導電率
　　4）電子・イオンとArの衝突
2. シランプラズマの気相反応
　　1）シランガスの解離
　　2）気相中の1次・2次反応
　　3）シランプラズマの診断法
　　4）ラジカルの反応方程式
3. 表面反応と水素化アモルファスシリコン薄膜堆積
　　1）表面反応計測法
　　2）表面反応モデル
　　3）薄膜成長プロセス概略
　　4）膜中の欠陥
4. 気相反応についてのデータ集
5. シランプラズマ中のナノ粒子成長
　　1）3段階に分けられるナノ粒子成長
　　2）典型的なナノ粒子成長
　　3）ナノ粒子成長に関連する要因
　　4）高次シラン分子の成長モデル
6. ナノ粒子混入と膜質の関係
　　1）ナノ粒子成長制御の要因
　　　　　a) 放電周波数
　　　　　b) ガス流れ
　　　　　c) 水素希釈
　　　　　d) 熱泳動力
　　　　　e) 静電力
　　2）膜中水素結合
　　3）ナノ粒子抑制法の実例
　　4）ナノ粒子と膜中水素結合の相関
7. 高次シラン分子の表面反応と膜質の関係
　　1）高次シラン分子と膜中水素結合の相関
8. 水素化アモルファスカーボン薄膜の特徴
9. 水素化アモルファスカーボン薄膜堆積プロセス
　　1）薄膜成長モデル

セミナー講師

 九州大学 大学院システム情報科学研究院 教授 博士（理学）   古閑 一憲 先生

■ご略歴
平成11年3月　九州大学大学院総合理工学研究科博士後期課程修了
平成11年4月　九州大学大学院システム情報科学研究科助手となって以来、九州大学にて薄膜SiのプラズマCVDプロセス研究に従事。
                     薄膜堆積プロセスの他、プラズマ中ナノ粒子の生成機構研究についても手がけ、現在に至る。
■ご専門
プラズマCVD／ナノ粒子プラズマ／プラズマのバイオ応用
■本テーマ関連学協会でのご活動
応用物理学会　プラズマエレクトロニクス分科会幹事長（R6年度より）

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
  →環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です
  →こちらをご確認ください