酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

セミナー趣旨

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

受講対象・レベル

電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方。

習得できる知識

• Ga2O3物性の基礎知識
• バルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

セミナープログラム

1. はじめに
   1. Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
   2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
2. Ga2O3バルク融液成長技術
3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   1. MBE成長
   2. HVPE成長
   3. MOCVD成長
4. Ga2O3トランジスタ開発
   1. 横型MESFET
   2. 横型DモードMOSFET
   3. 横型フィールドプレートMOSFET
   4. 縦型DモードMOSFET
   5. 縦型EモードMOSFET
   6. 海外のGa2O3 FET開発動向
5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   2. 縦型フィールドプレートSBD
   3. 縦型ガードリングSBD
   4. 海外のGa2O3 SBD開発動向
6. まとめ、今後の課題

【質疑応答】

キーワード：パワー,デバイス,酸化ガリウム,Ga2O3,半導体,モジュール,セミナー,講座,研修

セミナー講師

（国研）情報通信研究機構　未来ICT研究所　小金井フロンティア研究センター　グリーンICTデバイス研究室　室長　博士（工学）　東脇 正高　氏

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合38,500円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
  無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。