自動車の電動化に向けた、ＳｉＣパワーデバイス・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向＜最新動向コース＞

セミナー趣旨

習得できる知識

過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸 氏
【経歴・活動】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究、量産技術開発に従事。
2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member
電気学会上級会員、応用物理学会会員
「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」編集委員（電気学会出版）
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計,解析技術

セミナー受講料

49,500円( S&T会員受講料47,020円 )
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詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
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2名で 49,500円 (2名ともS&T会員登録必須／１名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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※他の割引は併用できません。