シリコン系光集積回路デバイスの基礎と集積技術の最先端動向と課題まで

セミナー趣旨

  シリコンフォトニクス技術と呼ばれる、シリコン系光導波路素子によるモノリシック／ハイブリッド集積や実装技術は、基礎的な研究フェーズから、産業展開へと続く実用化フェーズへ移行しており、市場規模は著しい成長を続けている。しかしながら、更に高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題は依然として多く存在するため、新たなブレークスルーが求められる。
  本セミナーでは過去20年間に渡る技術動向調査を基にした、基礎的な素子動作原理から最先端技術について解説を行った上で、現在の諸課題について議論を行う。

受講対象・レベル

本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。

必要な予備知識

この分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要ありません。光導波路の基礎では高校卒業レベルの数学および物理を使います。

習得できる知識

・光導波構造の基礎
・各種光材料を適用した場合の長所／短所比較
・シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理，研究開発の現状
・モノリシック／ハイブリッドフォトニクス集積技術，ファブレス化の動向
など

セミナープログラム

１．光導波路の基礎と集積回路用光材料
　1.1　光導波構造の基礎
　　a. 1次元の光閉込めと光伝搬
　　b. 2次元（3層スラブ導波路）の固有値方程式と導波モード形成
　　c. 高次モードとカットオフ
　1.2　各種導波路材料比較
　　a. ガラス系光導波路
　　b. 化合物半導体光導波路
　　c. シリコン系光導波路
２．シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴
　2.1　パッシブ光デバイス
　　a. 導波路
　　b. 分岐／結合
　　c. 光入出力結合
　　d. 波長フィルタ
　　e. 偏波操作
　2.2　光変調器
　　a. Si変調器
　　b. III-V族変調器
　　c. LN変調器
　　d. EOポリマー変調器　
　2.3　受光器
　　a. Ge受光器
　　b. III-V受光器
　2.4　レーザー光源
　　a. Ge光源
　　b. III-V光源
３．シリコンフォトニクス集積素子とハイブリッド集積技術の応用
　3.1　ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
　3.2　CMOS互換モノリシック集積技術
　3.3　異種材料を活用したハイブリッド集積技術
　　a. Wafer-on-Wafer（WoW）接合
　　b. Chip-on-Wafer（CoW）接合
　　c. Micro-Transfer Printing （MTP）接合
　3.4　光チップレット、2.5／3次元実装、Co-Packaged Optics技術
　3.5　シリコンフォトニクスファウンドリーサービス
＜質疑応答＞

＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

セミナー講師

 産業技術総合研究所 光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム 上級主任研究員　  高 磊 氏

■ご略歴
早稲田大学先進理工学研究科 物理学及応用物理学専攻修了、博士（工学）
日本電信電話株式会社 研究員、カリフォルニア大学バークレー校 博士研究員（日本学術振興会 海外特別研究員）を経て、
国立研究開発法人 産業技術総合研究所入所。
現在、同光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム所属、上級主任研究員。

セミナー受講料

【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 56,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。

主催者

開催場所

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
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